[實用新型]提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置有效
| 申請號: | 202220697351.2 | 申請日: | 2022-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN217387089U | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 王振;李青海 | 申請(專利權)人: | 徐州鑫晶半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324;C30B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 221000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提高 高溫 rta 硅片 接觸 少數 載流子 壽命 裝置 | ||
1.一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,包括
RTA機臺,所述RTA機臺內部安裝有氣動硅片旋轉盤,所述氣動硅片旋轉盤上安裝有用于承托硅片的石英頂針;
基座,所述基座為一側具有開口的環形結構,且其內徑小于硅片直徑,所述開口與RTA機臺進口相對;
升降部件,所述升降部件一端連接在RTA機臺上蓋的石英玻璃上,另一端與基座連接,所述升降部件能夠帶動基座上升或下降,使基座處于石英頂針頂端上方或下方;
驅動部件,所述驅動部件用于驅動升降部件上升或下降;
所述基座和升降部件均安裝在RTA機臺內。
2.根據權利要求1所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述基座上均布有通孔,且其內徑比硅片直徑小3mm-5mm;所述升降部件包括
支撐桿和支撐筒;
齒輪組件,所述齒輪組件包括大齒輪和小齒輪,小齒輪均布在大齒輪邊緣,且與大齒輪嚙合,所述大齒輪通過支撐桿安裝于RTA機臺上蓋的石英玻璃上,且與支撐桿轉動連接;所述小齒輪通過支撐筒安裝于RTA機臺上蓋的石英玻璃上,且與支撐筒轉動連接;
升降組件,所述升降組件包括大螺紋連接桿和小螺紋連接桿,所述大螺紋連接桿上部外壁設有外螺紋,其底部開設有第一螺紋孔,所述大螺紋連接桿上部穿過小齒輪中心位于支撐筒內,且與小齒輪螺紋連接;所述小螺紋連接桿上部螺紋連接在第一螺紋孔內,其底部穿過基座上的通孔與承托部相連,所述小螺紋連接桿外壁與通孔的內壁間隙配合;所述大齒輪與支撐桿的同軸設置,所述支撐筒、小齒輪、大螺紋連接桿、小螺紋連接桿和通孔同軸設置;
所述驅動部件驅動大齒輪順時針或逆時針旋轉。
3.根據權利要求2所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述承托部為圓球,該圓球的直徑大于通孔直徑。
4.根據權利要求3所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述驅動部件包括第一送氣部件和第二送氣部件,所述第一送氣部件出氣口連接下降氣體管路進氣口,所述下降氣體管路出氣口位于大齒輪一側,用于向大齒輪一側的齒吹氣驅動大齒輪順時針旋轉;所述第二送氣部件出氣口連接上升氣體管路進氣口,所述上升氣體管路出氣口位于大齒輪另一側,用于向大齒輪另一側的齒吹氣驅動大齒輪逆時針旋轉;所述位于RTA機臺內部的下降氣體管路和上升氣體管路均安裝于RTA機臺上蓋的石英玻璃上,第一送氣部件和第二送氣部件均安裝在RTA機臺外部。
5.根據權利要求4所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,所述第一送氣部件為第一氣泵,第二送氣部件為第二氣泵。
6.根據權利要求4所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,還包括氣體流量控制器,以及與第一氣體流量控制器和第二氣體流量控制器相連的微型控制器,所述第一氣體流量控制器與下降氣體管路相連,第二氣體流量控制器與上升氣體管路相連,所述第一氣體流量控制器和第二氣體流量控制器均位于RTA機臺外部,所述微型控制器安裝在RTA機臺外部,且分別與第一氣泵、第二氣泵和RTA機臺控制器電連接。
7.根據權利要求1所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,至少設置三個小齒輪和通孔。
8.根據權利要求4所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述基座、承托部、升降部件、下降氣體管路和上升氣體管路均由石英制作而成。
9.根據權利要求4所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述基座為3/4圓環形基座。
10.根據權利要求2所述的一種提高高溫RTA制程硅片接觸點處少數載流子壽命的裝置,其特征在于,所述大螺紋連接桿頂端連接有用于限制大螺紋連接桿向下運動的圓形擋板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





