[實用新型]一種倒置三結太陽電池外延片

有效

• 申請號: 202220676375.X
• 申請日: 2022-03-28
• 公開（公告）號: CN216563151U
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發明（設計）人: 徐培強;董耀進;林曉珊;李俊承;潘彬;王向武
• 申請（專利權）人: 南昌凱捷半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0687
• 代理公司: 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129
• 代理人: 石紅麗

1.一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于，包括：

從下往上依次分布的：GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaInP腐蝕截止層、GaInP頂電池、第一隧穿結、GaAs中電池、第二隧穿結、第一組InAlGaAs緩沖層、InGaAs底電池、以及第二組(InAl)GaAs緩沖層；

其中，所述第二組(InAl)GaAs緩沖層包括分段InAlGaAs組分漸變結構和GaAs接觸層；

所述第一組InAlGaAs緩沖層的晶格常數由與所述GaAs中電池匹配過渡到與所述InGaAs底電池匹配，晶格由小到大；

所述第二組(InAl)GaAs緩沖層中所述分段InAlGaAs組分漸變結構的晶格常數由與所述InGaAs底電池匹配過渡到與GaAs材料匹配，晶格由大到小；

所述分段InAlGaAs組分漸變結構厚度為1.5um～3um；

所述GaAs接觸層厚度為0.05um～1um。

2.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述GaAs襯底厚度為300um～500um；

所述GaAs緩沖層厚度為0.2um～0.8um；

所述GaInP腐蝕截止層厚度為0.2um～0.6um。

3.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述GaInP頂電池包括GaAs蓋帽層、頂電池AlInP窗口層、GaInP發射區、GaInP基區、以及AlGaInP背電場層；

其中，所述GaAs蓋帽層厚度0.4um～0.8um；

所述頂電池AlInP窗口層厚度0.02um～0.1um；

所述GaInP發射區厚度0.05um～0.15um；

所述GaInP基區厚度0.3um～0.8um；

所述AlGaInP背電場層厚度0.05um～0.15um。

4.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述第一隧穿結為P++AlGaAs/N++GaInP；

其中，所述P++AlGaAs厚度為0.01um～0.03um；

所述N++GaInP厚度為0.01um～0.03um。

5.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述GaAs中電池包括中電池AlInP窗口層、GaAs發射區、GaAs基區、以及AlGaAs背電場層；

其中，所述中電池AlInP窗口層厚度0.05um～0.15um；

所述GaAs發射區厚度0.05um～0.15um；

所述GaAs基區厚度1.5um～2.5um；

所述AlGaAs背電場層厚度0.05um～0.2um。

6.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述第二隧穿結為P++GaAs/N++GaAs；

其中，所述P++GaAs厚度為0.01um～0.03um；

所述N++GaAs厚度為0.01um～0.03um。

7.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述第一組InAlGaAs緩沖層厚度大于3um。

8.根據權利要求1所述的一種倒置三結太陽電池外延片，其特征在于：

所述InGaAs底電池包括InAlAs窗口層、InGaAs發射區、InGaAs基區、以及InAlGaAs背電場層；

其中，所述InAlAs窗口層厚度0.1um～0.3um；

所述InGaAs發射區厚度0.1um～0.2um；

所述InGaAs基區厚度1.8um～3um；

所述InAlGaAs背電場層厚度0.1um～0.3um。