[實(shí)用新型]半導(dǎo)體處理裝置和半導(dǎo)體處理系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220656727.5
• 申請(qǐng)日: 2022-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN217691070U
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 溫子瑛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華瑛微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/306;H01L21/68
• 代理公司: 蘇州簡理知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371
• 代理人: 龐聰雅

1.一種半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于：其包括：

具有支撐晶圓的第一支撐區(qū)的下腔室；

具有第二支撐區(qū)的上腔室，其中當(dāng)上腔室與下腔室閉合時(shí)，晶圓放置于第一支撐區(qū)和第二支撐區(qū)之間；

緊鄰所述上腔室和/或所述下腔室設(shè)置的溫控組件，其通過調(diào)整自身的溫度來調(diào)整所述上腔室和/或所述下腔室的溫度；

第一支撐區(qū)或第二支撐區(qū)的邊緣區(qū)域形成的第一通道，第一通道提供第一空間用于流通腐蝕晶圓邊緣區(qū)域的一種或多種化學(xué)流體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其中上腔室和/或下腔室包括定位結(jié)構(gòu)，所述定位結(jié)構(gòu)用于抵靠晶圓的邊緣外端并使晶圓的中心軸與第二支撐區(qū)的中心軸對(duì)齊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，定位結(jié)構(gòu)設(shè)置于上腔室上，所述定位結(jié)構(gòu)為凸起部分，所述凸起部分用于抵靠晶圓的邊緣外端并使晶圓的中心軸與第二支撐區(qū)的中心軸對(duì)齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述上腔室的凸起部分毗鄰第二支撐區(qū)并朝下腔室延伸，晶圓的中心軸垂直于晶圓的上表面，第二支撐區(qū)的中心軸垂直于上腔室的下表面，晶圓的上表面平行于第二支撐區(qū)的下表面，所述凸起部分包括圍繞晶圓外端設(shè)計(jì)成圈狀的彎曲部分，并且凸起部分均勻地抵靠在晶圓的邊緣外端區(qū)域，使晶圓的中心軸與第二個(gè)支撐區(qū)的中心軸重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述凸起部分包括多個(gè)突塊，其呈環(huán)狀均勻分布在晶圓外端周圍，用于均勻地抵靠在晶圓邊緣的外端區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述凸起部分包括與所述第二支撐區(qū)的中心軸成一定角度傾斜的內(nèi)表面，該內(nèi)表面抵靠在晶圓的邊緣外端區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，所述凸起部分包括面向第二支撐區(qū)中心軸的內(nèi)角，該內(nèi)角抵靠在晶圓的邊緣外端區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其中第一槽道位于下腔室的邊緣區(qū)域，并提供流動(dòng)一種或多種化學(xué)流體的第一槽道空間，同時(shí)在上腔室和下腔室之間形成一個(gè)過道，該過道連接第一空間和第一槽道空間，使得一種或多種化學(xué)流體通過該過道從第一空間流入第一槽道空間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，其中第二槽道形成在上腔室的邊緣區(qū)域并位于第一槽道上方，

第一槽道與第二槽道之間設(shè)置有彈性部件，該彈性部件用于阻擋一種或多種化學(xué)流體從第一空間流向第一槽道空間，

第二支撐區(qū)的邊緣區(qū)域形成第一通道，并且一種或多種化學(xué)流體通過位于上腔室的第一通孔在第一空間和裝置外部之間流通，

其中第一支撐區(qū)的邊緣區(qū)域形成第二通道，提供第二空間來流通用于腐蝕晶圓邊緣區(qū)域的一種或多種化學(xué)流體，

下腔體提供第二通孔用來實(shí)現(xiàn)一種或多種化學(xué)流體在下腔體的第二空間與裝置外部之間的流通，

第一支撐區(qū)的邊緣區(qū)域構(gòu)成第一通道，下腔室包括第一通孔，一種或多種化學(xué)流體通過位于下腔室的第一通孔在第一空間和裝置外部流通。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

利用所述溫控組件調(diào)整所述上腔室和/或所述下腔室的溫度，從而利用所述上腔室和/或所述下腔室的熱脹冷縮特性，微調(diào)所述定位結(jié)構(gòu)的位置，進(jìn)而調(diào)整晶圓的中心軸與第二支撐區(qū)的中心軸的對(duì)齊精度。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體處理裝置，其特征在于，

所述溫控組件設(shè)置有預(yù)設(shè)溫度值，使得上腔室與下腔室閉合，對(duì)所述晶圓的邊緣進(jìn)行腐蝕；

對(duì)所述晶圓的邊緣腐蝕效果進(jìn)行測(cè)量，確定測(cè)量出來的邊緣腐蝕效果是否滿足要求，如果不滿足要求，則升高或降低所述溫控組件的溫度值，繼續(xù)對(duì)所述晶圓的邊緣進(jìn)行腐蝕并對(duì)所述晶圓的邊緣腐蝕效果進(jìn)行測(cè)量，直到測(cè)量出的邊緣腐蝕效果滿足要求。