[實(shí)用新型]射頻裝置以及電子設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220643620.7 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN217158628U | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 史大為 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01Q1/24 | 分類號(hào): | H01Q1/24;H01Q1/36;H01Q1/50;H01Q5/10;H01Q5/385 |
| 代理公司: | 深圳市智圈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351 | 代理人: | 呂靜 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 裝置 以及 電子設(shè)備 | ||
1.一種射頻裝置,其特征在于,包括:第一枝節(jié)、第二枝節(jié)、第一饋電點(diǎn)、第二饋電點(diǎn)、第一饋地點(diǎn)、第二饋地點(diǎn)、第一饋電源、第二饋電源、第一選頻電路以及第二選頻電路;
所述第一枝節(jié)與所述第二枝節(jié)之間設(shè)有縫隙;
所述第一饋電點(diǎn)以及所述第一饋地點(diǎn)分別設(shè)置于所述第一枝節(jié)上,所述第二饋電點(diǎn)以及所述第二饋地點(diǎn)分別設(shè)置于所述第二枝節(jié)上;
所述第一選頻電路為低阻高通電路,所述第一選頻電路的一端與所述第一饋電點(diǎn)連接,另一端接地,所述第一選頻電路用于基于所述第一枝節(jié)耦合的信號(hào)使所述第一枝節(jié)產(chǎn)生第一寄生諧振,所述低阻高通電路的通帶頻率與所述第一枝節(jié)耦合的信號(hào)的頻率相關(guān);
所述第二選頻電路為低阻高通電路,所述第二選頻電路的一端與所述第二饋電點(diǎn)連接,另一端接地,所述第二選頻電路用于基于所述第二枝節(jié)耦合的信號(hào)使所述第二枝節(jié)產(chǎn)生第二寄生諧振,所述低阻高通電路的阻帶頻率與所述第二枝節(jié)耦合的信號(hào)的頻率相關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置,其特征在于,所述第二選頻電路包括:第一電感以及第一電容;
所述第一電感的一端與所述第二饋電點(diǎn)連接,另一端接地;
所述第一電容的一端與所述第二饋電點(diǎn)連接,另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻裝置,其特征在于,所述第二選頻電路還包括:第二電感;
所述第二電感的一端與所述第一電感的另一端連接,所述第二電感的另一端接地;
所述第一電感、所述第一電容以及所述第二電感構(gòu)成低阻高通電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的射頻裝置,其特征在于,所述第二選頻電路還包括:開關(guān);
所述開關(guān)導(dǎo)通時(shí),所述第二選頻電路產(chǎn)生所述第二寄生諧振。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置,其特征在于,所述第一選頻電路包括:第三電感以及第二電容;
所述第三電感的一端與所述第一饋電點(diǎn)連接,另一端接地;
所述第二電容的一端與所述第一饋電點(diǎn)連接,另一端接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的射頻裝置,其特征在于,所述第一選頻電路還包括:第四電感;
所述第四電感的一端與所述第三電感的另一端連接,所述第四電感的另一端接地;
所述第三電感、所述第二電容以及所述第四電感構(gòu)成低阻高通電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置,其特征在于,所述射頻裝置還包括:第五電感、第三電容、第四電容、第五電容以及第六電容;
所述第五電感的一端與所述第二饋電點(diǎn)連接,所述第五電感的另一端與所述第三電容的一端連接,所述第三電容的另一端與所述第四電容的一端連接,所述第四電容的另一端與所述第二饋電源連接,所述第五電容的一端與所述第三電容的另一端連接,所述第五電容的另一端接地,所述第六電容的一端與所述第四電容的另一端連接,所述第六電容的另一端接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置,其特征在于,所述射頻裝置還包括:第七電容、第六電感以及第七電感;
所述第七電容的一端與所述第一饋電點(diǎn)連接,所述第七電容的另一端與所述第六電感連接,所述第六電感的另一端與所述第一饋電源連接,所述第七電感的一端與所述第六電感的另一端連接,所述第七電感的另一端接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、3或6所述的射頻裝置,其特征在于,所述低阻高通電路在L5頻段為阻帶,在大于或等于B1頻段為帶通。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻裝置,其特征在于,所述第一饋電源產(chǎn)生的第一工作信號(hào)包括B1、N40、N41以及N78頻段中的至少一個(gè),所述第二寄生諧振對(duì)應(yīng)的第四工作信號(hào)包括B1、40、41、N41以及N78頻段中的至少一個(gè);
所述第二饋電源產(chǎn)生的第三工作信號(hào)包括L5頻段,所述第一寄生諧振對(duì)應(yīng)的第二工作信號(hào)包括L5頻段。
11.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:中框以及如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的射頻裝置,所述中框接地,所述射頻裝置的第一饋地點(diǎn)與第二饋地點(diǎn)分別與所述中框連接。
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