[實用新型]用于硅片氧化的干濕氣體轉換裝置

有效

• 申請號: 202220636837.5
• 申請日: 2022-03-22
• 公開（公告）號: CN217030833U
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 賈健;陳宏胤;杜鳳
• 申請（專利權）人: 揚州虹揚科技發展有限公司
• 主分類號: F17D1/04
• 分類號: F17D1/04;F17D3/01;F17D3/12
• 代理公司: 南京源點知識產權代理有限公司 32545
• 代理人: 陳彩霞

本實用新型公開了一種用于硅片氧化的干濕氣體轉換裝置，該裝置包括并聯的干燥氣體管道和濕潤氣體管道，并聯管道的一端連接進氣管道、另一端連接出氣管道，所述干燥氣體管道上設有第一電磁閥，所述濕潤氣體管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道上設有第二電磁閥，所述第二管道上設有單向閥，所述第一管道和所述第二管道通過水箱連接，所述水箱中所述第一管道的端頭低于所述第二管道的端頭，且至少所述第二管道的端頭位于液面以上，以使得氣體能夠經過所述第一管道進入所述水箱中，形成濕潤氣體后從所述第二管道中排出。本實用新型通過電磁閥和單向閥的作用，實現干濕氣體的轉換，減少人員手動插拔氣管，節省人工成本，提升硅片氧化安全性。

技術領域

本實用新型涉及半導體硅片生產裝置，具體地，涉及一種用于硅片氧化的干濕氣體轉換裝置。

背景技術

硅片熱氧化是在硅片表面生長一層優質的氧化層對整個半導體集成電路制造過程具有極為重要的意義。它不僅作為離子注入或熱擴散的掩蔽層，而且也是保證器件表面不受周圍氣氛影響的鈍化層，它不光是器件與器件之間電學隔離的絕緣層，也是MOS工藝以及多層金屬化系統中保證電隔離的主要組成部分。因此了解硅氧化層的生長機理，控制并重復生長優質的硅化層方法對保證高質量的集成電路可靠性是至關重要的。

在硅片表面形成SiO₂的技術有很多種，如熱氧化生長、熱分解淀積(即CD法)、外延生長、真空蒸發、反應濺射及陽極氧化法等。其中熱生長氧化在集成電路工藝中用得最多，其操作簡便，且氧化層致密，足以用作為擴散掩蔽層，通過光刻易形成定域擴散圖形等其它應用。硅熱氧化工藝按所用的氧化氣氛可分為：干氧氧化和濕氧氧化。干氧氧化是以干燥純凈的氧氣作為氧化氣氛，在高溫下氧直接與硅反應生成二氧化硅，而傳統濕氧氧化工藝采用在鼓泡瓶內加熱高純水作為水蒸汽源，用干燥氧氣通過加熱的水(常用水溫為95℃)所形成的氧和水汽混合物形成氧化氣氛。目前硅片氧化時，在通濕氧時，人員需手動插拔氣管，因等待時間過長，容易忘記，不僅浪費人工，還存在造成安全隱患。

實用新型內容

針對上述人工拔插氣管浪費人工、存在安全隱患等問題，本實用新型提供了一種用于硅片氧化的干濕氣體轉換裝置，該裝置通過電磁閥自動控制干濕氣體的轉換，自動化代替人工，節省人工成本，減少人員手動插拔氣管，可降低人員犯錯幾率，提升生產安全性。

為了實現上述目的，本實用新型提供一種用于硅片氧化的干濕氣體轉換裝置，該裝置包括并聯的干燥氣體管道和濕潤氣體管道，并聯管道的一端連接進氣管道、另一端連接出氣管道，所述干燥氣體管道上設有第一電磁閥，所述濕潤氣體管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道上設有第二電磁閥，所述第二管道上設有單向閥，所述第一管道和所述第二管道通過水箱連接，所述水箱中所述第一管道的端頭低于所述第二管道的端頭，且至少所述第二管道的端頭位于液面以上，以使得氣體能夠經過所述第一管道進入所述水箱中，形成濕潤氣體后從所述第二管道中排出。

優選地，所述水箱中所述第一管道的端頭位于液面以下。

優選地，所述水箱中所述第一管道的端頭位于液面以上。

進一步優選地，所述水箱中所述第一管道的端頭的下方設有傾斜的擋板，所述擋板背向所述水箱中所述第二管道的端頭設置。

具體地，所述進氣管道包括氮氣進氣管道和氧氣進氣管道。

具體地，所述進氣管道與所述干燥氣體管道以及濕潤氣體管道通過第一三通連接，所述出氣管道與所述干燥氣體管道以及濕潤氣體管道通過第二三通連接。

通過上述技術方案，本實用新型實現了以下有益效果：

1、本實用新型通過電磁閥和單向閥的作用，實現干濕氣體的轉換，減少人員手動插拔氣管，節省人工成本，提升硅片氧化安全性。

2、本實用新型可以根據氧氣濕度的要求，調節水箱中液面高度，使得氧氣管道在水箱中處于不同位置，提升本實用新型的適用性。

附圖說明