[實(shí)用新型]半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路及功率器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220633593.5 | 申請日： | 2022-03-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN217037152U | 公開（公告）日： | 2022-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/081 | 分類號(hào)： | H03K17/081;H03K17/567 |
| 代理公司： | 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人： | 劉錫濱 |
| 地址： | 215104 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 場效應(yīng) 飽和 保護(hù) 電路 功率 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路包括MOS管、高壓二極管和旁路電容；
所述MOS管的漏極連接所述高壓二極管的負(fù)極，所述旁路電容的一端并聯(lián)在所述高壓二極管的正極，所述旁路電容的另一端接地；
所述旁路電容，用于對去飽和保護(hù)電路中存在的位移電流進(jìn)行分流，其中，所述位移電流是由于所述MOS管的體二極管處于反向恢復(fù)期間所產(chǎn)生的高dv/dt，所述高dv/dt經(jīng)由所述高壓二極管的結(jié)電容會(huì)引入所述位移電流。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路還包括輸出模塊；
所述輸出模塊與所述高壓二極管的正極相連接；
所述輸出模塊，用于將所述MOS管的體二極管處于反向恢復(fù)期間時(shí)產(chǎn)生的位移電流引入地平面，還用于輸出低電平。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述輸出模塊包括限流電阻、充電電阻、去飽和消隱電容、去耦電容和電壓源；
所述限流電阻的一端連接所述高壓二極管的正極；
所述充電電阻、去飽和消隱電容和所述電壓源串聯(lián)，所述限流電阻的另一端接在所述充電電阻和所述去飽和消隱電容的連接點(diǎn)上，所述去飽和消隱電容遠(yuǎn)離所述充電電阻的一端接地；
所述去耦電容的一端連接所述電壓源，所述去耦電容的另一端接地。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述輸出模塊還包括比較器、充電電流源和基準(zhǔn)電壓源；
所述比較器的反相輸入端連接所述限流電阻，所述充電電流源接在所述比較器的反向輸入端上；
所述比較器的正相輸入端連接所述基準(zhǔn)電壓源的正極，所述基準(zhǔn)電壓源的負(fù)極接地。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述高壓二極管還包括結(jié)電容；
所述結(jié)電容并聯(lián)在所述高壓二極管兩端；
所述結(jié)電容可選取耐壓性高于常規(guī)結(jié)電容和通流性低于常規(guī)結(jié)電容的低結(jié)電容。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路還包括若干個(gè)高壓二極管；
所述若干個(gè)高壓二極管串聯(lián)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路的布線選用細(xì)線；
所述細(xì)線，用于增加所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路的回路阻抗，降低所述結(jié)電容的水平和位移電流。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，所述半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路還包括若干個(gè)電阻；
所述若干個(gè)電阻與所述限流電阻和所述充電電阻串聯(lián)和/或并聯(lián)。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路，其特征在于，降低所述MOS管的開通速度。
10.一種功率器件，其特征在于，所述功率器件包括如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體場效應(yīng)管的去飽和保護(hù)電路。
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