[實用新型]一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件

有效

• 申請號: 202220591131.1
• 申請日: 2022-03-18
• 公開（公告）號: CN217214726U
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 余麗波;鄧穎婷;鄭崇芝
• 申請（專利權）人: 成都智達和創信息科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/778;H01L29/20
• 代理公司: 成都熠邦鼎立專利代理有限公司 51263
• 代理人: 湯楚瑩

1.一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，從下到上依次包括GaN溝道層和AlGaN勢壘層，其特征在于，在所述AlGaN勢壘層的頂部設有P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ，且P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ之間具有間距，在所述AlGaN勢壘層的頂部一端淀積有源極金屬，另一端淀積有漏極金屬；

所述P-GaN勢壘層Ⅰ的頂部淀積有柵極金屬Ⅰ，所述P-GaN勢壘層Ⅱ的頂部淀積有柵極金屬Ⅱ，所述的GaN溝道層和所述的AlGaN勢壘層形成二維電子氣，所述的P-GaN勢壘層Ⅰ、柵極金屬Ⅰ、P-GaN勢壘層Ⅱ和柵極金屬Ⅱ共同構成雙P-GaN柵結構。

2.根據權利要求1所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，P-GaN勢壘層Ⅰ、P-GaN勢壘層Ⅱ、柵極金屬Ⅰ和柵極金屬Ⅱ圍成柵極區域，P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ分別位于柵極區域的兩側。

3.根據權利要求2所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，在所述AlGaN勢壘層的表面且避讓P-GaN勢壘層Ⅰ、P-GaN勢壘層Ⅱ、源極金屬和漏極金屬安裝部位后的區域設有鈍化層。

4.根據權利要求3所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，所述的鈍化層采用SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、Sc2O3、HfO2、高低κ介質、鐵電材料或無機材料中的一種制成。

5.根據權利要求1-4任一所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，所述源極金屬和漏極金屬均與AlGaN勢壘層之間歐姆接觸；

所述的柵極金屬Ⅰ和柵極金屬Ⅱ分別與P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ之間肖特基接觸。

6.根據權利要求5所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，該種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件還包括GaN緩沖層，所述的GaN緩沖層位于GaN溝道層的底部。

7.根據權利要求6所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，該種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件還包括P型Si襯底，所述的P型Si襯底位于GaN緩沖層的底部。

8.根據權利要求6-7任一所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，所述P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ長度相同，當P-GaN勢壘層Ⅰ作為主柵時，P-GaN勢壘層Ⅱ作為副柵；當 P-GaN勢壘層Ⅰ作為副柵時，P-GaN勢壘層Ⅱ作為主柵。

9.根據權利要求6-7任一所述一種雙P-GaN柵氮化鎵增強型器件，其特征在于，所述P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ長度不同，P-GaN勢壘層Ⅰ和P-GaN勢壘層Ⅱ之間相對長度長的作為主柵，相對長度短的作為副柵。