[實用新型]尾氣吸附裝置

有效

• 申請號: 202220554080.5
• 申請日: 2022-03-10
• 公開（公告）號: CN217068280U
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 葛俊;朱顏;孫建
• 申請（專利權）人: 全椒南大光電材料有限公司
• 主分類號: B01D53/04
• 分類號: B01D53/04;G01N31/22
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 閆客

本實用新型公開一種尾氣吸附裝置，屬于尾氣處理技術領域，包括氣相色譜儀，氣相色譜儀的進氣口連接載氣傳輸管道，氣相色譜儀的各路排氣口均連接有一吸附桶，吸附桶的進氣口與排氣口為卡套連接，吸附桶內填充有吸附填料。本實用新型將氣相色譜儀的各路排氣口均連接有一吸附桶，吸附桶內填充有吸附填料，對有毒氣體進行吸附，在發生堵塞時，使用電子流量計直接從吸附桶出口測流量即可判斷是那一路發生的堵塞，簡單準確快速；多路分開排放也不會造成短暫的擁堵，而且吸附桶體積小，直接掛接在面板背面即可，體積小重量輕，方便移動。

技術領域

本實用新型屬于尾氣處理技術領域，具體涉及一種尾氣吸附裝置。

背景技術

和傳統大宗工業氣體不同，電子氣體用量小、純度高，通常要求99.999％及以上純度，其是伴隨電子材料及半導體行業發展起來。常見半導體工藝流程使用的電子氣體及用途，其中氫氣、氮氣、氦氣、氬氣等多用于載氣、吹掃氣、稀釋氣及用來提供惰性環境或還原性環境等；HF、HCl、HBr用于多晶硅的熱刻蝕工藝，氟碳化合物用于等離子體刻蝕及腔體清洗等；硅源氣體依據不同工藝如多晶硅生長、氮化硅等半導體制備區分如下表；而P-N結生長過程最重要的電子源和空穴源主要集中在第五主族的磷烷、砷烷以及第三主族的BF3、B2H6等；鍺烷主要用于硅鍺半導體的外延生長。因其特殊的光電性能，高純磷烷、砷烷、鍺烷、乙硼烷等是核心器件的重要源材料，是集成電路、芯片、LED器件、太陽能電池等關鍵技術發展的基礎。同時，以高純砷烷、磷烷為原料制備的半導體激光器如砷化鎵、磷化銦等，對航空航天及衛星遙感等敏感技術的發展起到重要的作用。

電子氣體中的雜質可導致載流子濃度改變，進而影響器件光學和電學性能，發光效率急劇降低，故高純電子特氣對于雜質含量有嚴格規定，通常低于100ppb。在電子氣體中的劇毒氣體中雜質的分析采用了使用氦離子檢測器原理的氣相色譜儀，此檢測器具有靈敏度高、線性范圍寬、樣品用量少等特點。但是因為電子氣體的特殊性，會在儀器管路內部發生化學反應，如吸附在管道內壁上，從而形成擁堵，當在儀器尾氣出口形成擁堵時，但傳統的檢測儀器當管路內部發生擁堵時，無法排查進行維修，輕則影響儀器檢出限，嚴重時就會導致儀器癱瘓無法使用。另外，傳統的檢測儀器的體積龐大，需在固定位置進行尾氣處理，使用靈活性不夠。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于如何簡單快捷的排查內部發生擁堵的管路，保證儀器安全使用。

本實用新型通過以下技術手段實現解決上述技術問題的：

本實用新型提出了一種尾氣吸附裝置，所述裝置包括氣相色譜儀，所述氣相色譜儀的進氣口連接載氣傳輸管道，所述氣相色譜儀的各路排氣口均連接有一吸附桶，所述吸附桶的進氣口與排氣口為卡套連接，所述吸附桶內填充有吸附填料。

本實用新型與傳統的單一的尾氣處理裝置不同，傳統單一的尾氣處理裝置是將所有尾氣匯總到一路總出口排出，當氣相色譜儀某一分路堵塞時，需要對所有支路單獨拆開去排查；而且多路載氣同時排氣，在使用過程中會造成短暫的擁堵；另外對多路載氣進行匯總的設備體積龐大，只能固定在某一位置使用。本方案中將氣相色譜儀的各路排氣口均連接有一吸附桶，吸附桶內填充有吸附填料，對有毒氣體進行吸附，在發生堵塞時，使用電子流量計直接從吸附桶出口測流量即可判斷是那一路發生的堵塞，簡單快速；多路分開排放也不會造成短暫的擁堵，而且吸附桶體積小，直接掛接在面板背面即可，體積小重量輕，方便移動。

進一步地，所述吸附桶的進氣口和出氣口處均布置有濾網。

進一步地，所述吸附桶的進氣口和出氣口處均布置有墊圈。

進一步地，所述吸附桶的出氣口處設置一密封管，所述密封管內裝有可變色指示劑。

進一步地，所述卡套采用NPT轉接1/8卡套接口。

進一步地，所述吸附填料采用活性炭。

進一步地，所述吸附桶采用T33桶。