[實用新型]光電模塊及光學(xué)傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220538740.0 | 申請日: | 2022-03-11 |
| 公開(公告)號: | CN217182185U | 公開(公告)日: | 2022-08-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林貞秀;邵楨威;蔡明修;賈樹勇 | 申請(專利權(quán))人: | 光寶光電(常州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L31/0203;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 何春暉;項榮 |
| 地址: | 213123 江蘇省常州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光電 模塊 光學(xué) 傳感器 | ||
1.一種光電模塊,其特征在于,所述光電模塊包括:
一基板;
一殼體,設(shè)置于所述基板上,所述殼體包含一本體及一擋墻,所述本體具有一第一透光孔與一第二透光孔;
一光發(fā)射組件,設(shè)置于所述基板上且對應(yīng)所述第一透光孔配置;
一光接收組件,設(shè)置于所述基板上且對應(yīng)所述第二透光孔配置,并通過所述擋墻而與所述光發(fā)射組件隔開;以及
一遮光層,覆蓋至少部分所述光接收組件,以暴露出所述光接收組件的一接收區(qū)域。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的光電模塊,其特征在于,所述本體的一內(nèi)表面朝所述基板延伸形成所述擋墻,所述擋墻位于所述光發(fā)射組件及所述光接收組件之間,所述本體及所述擋墻共同界定出一第一腔室及一第二腔室;所述光發(fā)射組件位于所述第一腔室內(nèi),且經(jīng)由所述第一透光孔對一外界物體發(fā)射一探測光,所述光接收組件部分地位于所述第二腔室內(nèi),且能經(jīng)由所述第二透光孔接收所述探測光由所述外界物體反射的一反射光。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述的光電模塊,其特征在于,所述光電模塊還包含有一可透光的封裝層,所述封裝層是分別位于所述第一腔室的部分及所述第二腔室的部分。
4.依據(jù)權(quán)利要求2所述的光電模塊,其特征在于,所述遮光層填充于所述第二腔室,并且所述遮光層于所述光接收組件接收所述反射光的一光路徑上具有一通道。
5.依據(jù)權(quán)利要求4所述的光電模塊,其特征在于,所述通道的截斷面由所述第二透光孔朝向所述光接收組件呈漸縮狀。
6.依據(jù)權(quán)利要求4所述的光電模塊,其特征在于,所述通道的內(nèi)表面為粗糙面。
7.依據(jù)權(quán)利要求2所述的光電模塊,其特征在于,所述第二腔室包含一上部位及連通所述上部位的一下部位,所述上部位的截斷面由所述第二透光孔朝向所述光接收組件呈漸縮狀,所述下部位容置所述光接收組件及所述遮光層。
8.依據(jù)權(quán)利要求7所述的光電模塊,其特征在于,所述第二腔室的所述上部位的內(nèi)表面為粗糙面。
9.依據(jù)權(quán)利要求7所述的光電模塊,其特征在于,所述光電模塊更包含設(shè)置于所述第二腔室內(nèi)的一透鏡組件,所述透鏡組件具有一底座及連接所述底座的一凸起部,所述底座位于所述下部位內(nèi),所述凸起部位于所述上部位,所述透鏡組件的一光中心位置位于所述光接收組件接收所述反射光的一光路徑上。
10.依據(jù)權(quán)利要求9所述的光電模塊,其特征在于,所述殼體于所述第二腔室的所述下部位內(nèi)具有多個凸柱,所述透鏡組件的所述底座具有多個卡合孔,并且所述透鏡組件的多個所述卡合孔供所述殼體的多個所述凸柱分別穿設(shè)。
11.依據(jù)權(quán)利要求9所述的光電模塊,其特征在于,所述殼體于所述下部位的一上表面形成有多個導(dǎo)流槽,多個所述導(dǎo)流槽正投影于所述底座的區(qū)域不重疊所述凸起部正投影于所述底座的區(qū)域。
12.依據(jù)權(quán)利要求2所述的光電模塊,其特征在于,所述殼體包含一第一設(shè)置槽,所述第一設(shè)置槽位置對應(yīng)所述第一透光孔且連通所述第一腔室,所述第一設(shè)置槽用以容置一第一光學(xué)元件。
13.依據(jù)權(quán)利要求12所述的光電模塊,其特征在于,所述殼體包含一第一逃氣槽,所述第一逃氣槽位于所述第一光學(xué)元件及所述第一設(shè)置槽之間,并且所述第一逃氣槽經(jīng)由所述第一設(shè)置槽連通所述第一腔室及所述殼體的外部。
14.依據(jù)權(quán)利要求13所述的光電模塊,其特征在于,所述第一逃氣槽呈L字狀,并且所述第一逃氣槽的深度介于0.35至0.45毫米之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





