[實用新型]一種靶材噴砂遮蔽裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220537752.1
• 申請日: 2022-03-11
• 公開（公告）號: CN217371988U
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇紫珊;蔡新志;李房斌;童培云;朱劉
• 申請（專利權(quán)）人: 先導(dǎo)薄膜材料（廣東）有限公司
• 主分類號: B24C9/00
• 分類號: B24C9/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 黃小雪

本實用新型涉及靶材技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種靶材噴砂遮蔽裝置，包括容置件和蓋盤，所述容置件上設(shè)有用于放置待噴砂靶材的容納腔，所述蓋盤同軸設(shè)置于所述容納腔內(nèi)，并置于所述靶材的濺射面上，所述蓋盤的外壁與所述容納腔的內(nèi)壁之間形成與所述濺射面上待噴砂區(qū)域相對應(yīng)的環(huán)形噴砂孔。本實用新型提供的靶材噴砂遮蔽裝置，通過設(shè)置容置件，并將待噴砂的靶材置于容置件的容納腔內(nèi)，同時在靶材的濺射面上設(shè)置蓋盤，從而使得靶材的濺射面上只有與噴砂孔相對應(yīng)的待噴砂區(qū)域暴露在外，從而使得噴砂時有效保護(hù)了靶材的濺射區(qū)，避免了靶材的濺射區(qū)受到損傷，保證了噴砂后的靶材的質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及靶材技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種靶材噴砂遮蔽裝置。

背景技術(shù)

靶材的濺射面分為濺射區(qū)和非濺射區(qū)，其中，以一定能量的粒子轟擊的是靶材的濺射區(qū)，非濺射區(qū)為能量粒子不能夠轟擊到的區(qū)域，或者不需要進(jìn)行轟擊的區(qū)域。在濺射過程中，高速粒子轟擊靶材濺射區(qū)，濺射出的靶材材料除了會沉積在基底表面，也會沉積在沉積腔室內(nèi)的其他表面上，其中就包括靶材的非濺射區(qū)。而由于等離子氣氛的高能特性，重新沉積在靶材非濺射區(qū)的材料會再次溢出，而溢出的碎片會污染沉積在基底表面的薄膜。

在現(xiàn)有工藝中，對靶材進(jìn)行噴砂處理時，通常采用膠帶對非濺射區(qū)進(jìn)行保護(hù)。為了保證所形成噴砂區(qū)和非噴砂區(qū)的尺寸精度，一般先進(jìn)行過貼，使膠帶超出非噴砂區(qū)，再用刀片割掉位于噴砂區(qū)的膠帶，然后對靶材進(jìn)行噴砂處理?，F(xiàn)有的噴砂處理前膠帶防護(hù)和刀片切割技術(shù)，只能形成具有明確界限或形狀簡單的噴砂區(qū)。而常用的濺射靶材，濺射面邊緣一般是由斜面與多個圓弧組成，形狀較為復(fù)雜，難以有效保證噴砂區(qū)與非噴砂區(qū)之間的界限。

另外，由于膠帶自身強度的限制，在噴砂過程中會破損，導(dǎo)致不需要進(jìn)行噴砂的濺射面受到損傷，使得該遮蔽措施無法保護(hù)靶材，最終導(dǎo)致噴砂后的靶材不達(dá)標(biāo)而無法使用。

實用新型內(nèi)容

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種靶材噴砂遮蔽裝置，有效保護(hù)靶材的濺射區(qū)，避免靶材的濺射區(qū)受到損傷，保證靶材的質(zhì)量。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：

一種靶材噴砂遮蔽裝置，包括容置件和蓋盤，所述容置件上設(shè)有用于放置待噴砂靶材的容納腔，所述蓋盤同軸設(shè)置于所述容納腔內(nèi)，并置于所述靶材的濺射面上，所述蓋盤的外壁與所述容納腔的內(nèi)壁之間形成與所述濺射面上待噴砂區(qū)域相對應(yīng)的環(huán)形噴砂孔。

優(yōu)選地，所述容置件包括相對設(shè)置的底盤和蓋環(huán)，所述底盤與所述蓋環(huán)可拆卸地連接。

優(yōu)選地，所述底盤包括底盤主體，所述底盤主體的外側(cè)凸設(shè)有第一連接部，所述第一連接部上設(shè)有第一連接件；

所述蓋環(huán)包括蓋環(huán)主體，所述蓋環(huán)主體的外側(cè)凸設(shè)有第二連接部，所述第二連接部上設(shè)有第二連接件，所述第一連接件與所述第二連接件可拆卸地連接。

優(yōu)選地，所述第一連接件為卡槽，所述第二連接件為與所述卡槽相適配的凸起；

或所述第一連接件為凸起，所述第二連接件為與所述凸起相適配的卡槽。

優(yōu)選地，所述底盤與所述蓋環(huán)的連接處設(shè)有分離槽。

優(yōu)選地，所述第一連接部遠(yuǎn)離所述底盤主體的一端的外側(cè)設(shè)有第一倒角，所述第二連接部遠(yuǎn)離所述蓋環(huán)主體的一端的外側(cè)設(shè)有第二倒角，所述第一倒角與所述第二倒角拼接成所述分離槽。

優(yōu)選地，所述蓋環(huán)的內(nèi)側(cè)設(shè)有導(dǎo)引面，所述導(dǎo)引面與所述蓋環(huán)的上表面相傾斜。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)引面與所述蓋環(huán)的上表面之間的夾角為a，a的取值范圍為40-50度。

優(yōu)選地，所述蓋盤包括蓋盤主體，所述蓋盤主體的邊緣朝遠(yuǎn)離所述蓋盤主體的方向依次同軸設(shè)有抵接環(huán)和卸料環(huán)，所述卸料環(huán)的內(nèi)徑大于所述抵接環(huán)的內(nèi)徑。

優(yōu)選地，所述容置件及所述蓋盤的材質(zhì)均為PP板。