[實(shí)用新型]一種濕法蝕刻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220484817.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-03-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN216413009U | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李瑞評(píng);鄭賢良;曾柏翔;張佳浩;林明順 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建晶安光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/306 | 分類號(hào): | H01L21/306;H01L21/683;C30B33/10;B01F31/441;B01F35/90 |
| 代理公司: | 北京漢之知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 高園園 |
| 地址: | 362411 福建省*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濕法 蝕刻 裝置 | ||
1.一種濕法蝕刻裝置,其特征在于,包括:
蝕刻槽,所述蝕刻槽包括外槽及內(nèi)槽,所述內(nèi)槽設(shè)置在所述外槽中,所述內(nèi)槽設(shè)置為上方開口的結(jié)構(gòu),用于容納待蝕刻的襯底,并且所述內(nèi)槽的上表面低于所述外槽的上表面,蝕刻過(guò)程中,所述外槽中的蝕刻溶液的液面低于所述內(nèi)槽的上表面,所述內(nèi)槽中的蝕刻液自所述內(nèi)槽的上方開口溢出至所述外槽,所述內(nèi)槽的側(cè)壁在靠近所述內(nèi)槽底部的一端設(shè)置有回液口,所述外槽中的蝕刻液經(jīng)所述回液口回流至所述內(nèi)槽;及
支撐結(jié)構(gòu),用于放置待蝕刻的所述襯底,所述支撐結(jié)構(gòu)與所述內(nèi)槽對(duì)應(yīng)設(shè)置,并且設(shè)置為沿所述內(nèi)槽的高度方向可上下移動(dòng),以帶動(dòng)所述襯底進(jìn)入內(nèi)槽中的蝕刻液中以開始蝕刻,或帶動(dòng)所述襯底自所述內(nèi)槽的蝕刻液中離開以停止蝕刻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括循環(huán)泵,所述循環(huán)泵設(shè)置為將所述外槽中的蝕刻溶液抽回至所述內(nèi)槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,所述內(nèi)槽和所述外槽內(nèi)還設(shè)置有加熱裝置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括控制裝置,所述控制裝置與所述加熱裝置連接,用于控制所述加熱裝置的加熱溫度及加熱時(shí)間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,所述支撐結(jié)構(gòu)包括:
支撐座,用于放置所述襯底;以及
旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)與所述支撐座連接并且垂直于所述支撐座的表面設(shè)置,所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述支撐座360°旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括控制裝置,所述控制裝置與所述支撐結(jié)構(gòu)連接,用于控制所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)速率及旋轉(zhuǎn)時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括蝕刻液供給裝置,與所述內(nèi)槽連接,用于向所述內(nèi)槽提供蝕刻液。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括驅(qū)動(dòng)裝置,所述驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述支撐結(jié)構(gòu)沿所述內(nèi)槽的高度方向上下移動(dòng)和/或驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濕法蝕刻裝置,其特征在于,還包括感應(yīng)器,所述感應(yīng)器設(shè)置在所述支撐座上,用于在蝕刻過(guò)程中感測(cè)所述襯底的導(dǎo)電率以判斷蝕刻終點(diǎn)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





