[實(shí)用新型]終端結(jié)構(gòu)、功率半導(dǎo)體器件及電子設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220432394.8
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN217361590U
• 公開（公告）日: 2022-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡朗;劉家甫;高博;唐龍谷;胡飛;王欣;張金龍
• 申請（專利權(quán)）人: 華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 張小麗

1.一種終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，疊設(shè)于所述襯底的表面，所述襯底與所述外延層包括元胞區(qū)和與所述元胞區(qū)連接的終端區(qū)；

第一隔離層，位于所述終端區(qū)；

金屬層，疊設(shè)于所述第一隔離層的表面且延伸至所述外延層的表面上，所述金屬層包括對應(yīng)所述第一隔離層的第一部分和對應(yīng)所述元胞區(qū)的第二部分，所述第二部分延伸至所述終端區(qū)并與所述第一部分連接；以及

鈍化層，疊設(shè)于所述金屬層遠(yuǎn)離所述外延層的表面上且延伸至所述第一部分的側(cè)表面并與所述第一隔離層接觸以包覆所述第一部分，

其中，沿疊設(shè)方向，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿所述疊設(shè)方向，所述第一部分遠(yuǎn)離所述第一隔離層的第一表面低于所述第二部分遠(yuǎn)離所述外延層的第二表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿所述疊設(shè)方向，所述第一部分遠(yuǎn)離所述第一隔離層的第一表面與所述第二部分遠(yuǎn)離所述外延層的第二表面平齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿所述疊設(shè)方向，所述第一部分遠(yuǎn)離所述第一隔離層的第一表面與所述第二部分遠(yuǎn)離所述外延層的第二表面呈鈍角。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一表面包括靠近所述第二表面的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域包括第一傾斜面，所述第一傾斜面上任意一點(diǎn)的切線與所述第二表面呈鈍角。

6.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任意一項(xiàng)所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一表面包括遠(yuǎn)離所述第二表面的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域包括第二傾斜面，所述第二傾斜面上任意一點(diǎn)的切線與所述第一表面呈鈍角。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一隔離層的材料為二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、硼磷硅玻璃(BPSG)、硅氧氮(SiON)或半絕緣多晶硅(SIPOS)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層包括依次疊設(shè)于所述金屬層的表面的第二隔離層和第三隔離層，所述第二隔離層與所述第一隔離層接觸以包覆所述第一部分，在對應(yīng)所述第一部分遠(yuǎn)離所述第二部分的側(cè)表面，所述第二隔離層與所述第三隔離層之間設(shè)有緩沖層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的終端結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二隔離層或所述第三隔離層的材料均為二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_X)、硼磷硅玻璃(BPSG)、硅氧氮(SiON)或半絕緣多晶硅(SIPOS)；

所述緩沖層的材料為旋涂硅玻璃。

10.一種功率半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9中任意一項(xiàng)所述的終端結(jié)構(gòu)。

11.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括殼體和位于所述殼體內(nèi)的如權(quán)利要求10所述的功率半導(dǎo)體器件。