[實用新型]鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220428708.7 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN217306535U | 公開(公告)日: | 2022-08-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 墻子躍;王彩霞;高翔;吳瑤;趙曉霞;劉雨奇;宗軍;王偉;田宏波;范霽紅 | 申請(專利權(quán))人: | 國家電投集團科學技術(shù)研究院有限公司;國家電投集團新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/42;H01L31/075;H01L27/30 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 辛誠 |
| 地址: | 102209 北京市昌平區(qū)未來科技城國*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鈣鈦礦 硅異質(zhì)結(jié)疊層 太陽能電池 | ||
1.一種鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,包括硅異質(zhì)結(jié)電池和鈣鈦礦電池,所述鈣鈦礦電池設置在所述硅異質(zhì)結(jié)電池上,所述鈣鈦礦電池包括:
鈣鈦礦層;
電子傳輸層,所述電子傳輸層為有機化合物層,所述電子傳輸層設置在所述鈣鈦礦層上;
金屬電極層,所述金屬電極層設置在所述電子傳輸層上,所述金屬電極層的厚度小于等于15nm;
透明電極層,所述透明電極層設置在所述金屬電極層上,所述透明電極層為反應等離子體沉積層或磁控濺射沉積層,所述透明電極層和所述電子傳輸層直接接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,所述電子傳輸層的材質(zhì)為富勒烯、PCBM、BCP和PEIE中的一種或多種的組合,電子傳輸層的厚度為10nm-20nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,所述透明電極層為透明導電氧化物薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,所述透明電極層的材質(zhì)為ITO、IZO、AZO、IWO和ICO中的一種或多種的組合,所述透明電極層的厚度為40nm-120nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,所述金屬電極層為熱蒸發(fā)金屬電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,進一步包括減反膜,所述減反膜設置在所述鈣鈦礦層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,進一步包括鈣鈦礦界面修飾層,所述鈣鈦礦界面修飾層設置在所述鈣鈦礦層上,所述電子傳輸層設置在所述鈣鈦礦界面修飾層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,進一步包括隧穿結(jié),所述隧穿結(jié)設置在所述硅異質(zhì)結(jié)電池上,所述鈣鈦礦電池設置在所述隧穿結(jié)上,以便所述硅異質(zhì)結(jié)電池與所述鈣鈦礦電池串聯(lián)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鈣鈦礦/硅異質(zhì)結(jié)疊層太陽能電池,其特征在于,所述隧穿結(jié)的厚度為10nm-100nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





