[實用新型]一種AMOLED顯示面板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220414415.3 | 申請日: | 2022-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN216849945U | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 樓葉珂 | 申請(專利權(quán))人: | 上海和輝光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 劉二艷 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 amoled 顯示 面板 | ||
1.一種AMOLED顯示面板,其特征在于,所述AMOLED顯示面板包括相對設(shè)置的基板和蓋板;
所述基板靠近蓋板的一側(cè)設(shè)置有TFT膜層;
所述TFT膜層靠近蓋板的一側(cè)設(shè)置有陽極和PDL層;
所述陽極靠近蓋板的一側(cè)和PDL層靠近蓋板的一側(cè)設(shè)置有OLED層,OLED層部分與陽極貼合,OLED層剩余部分與PDL層相貼合;
所述PDL層靠近蓋板的一側(cè)設(shè)置有第一支柱;
所述OLED層靠近蓋板的一側(cè)、PDL層靠近蓋板的一側(cè)以及第一支柱靠近蓋板的一側(cè)均依次設(shè)置有陰極和陰極保護(hù)層;
所述陰極保護(hù)層靠近蓋板的一側(cè)與蓋板之間設(shè)置有預(yù)設(shè)距離;
所述蓋板靠近基板的一側(cè)設(shè)置有第二支柱;
所述第二支柱與所述PDL層靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸或者所述第二支柱與所述第一支柱靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第二支柱與所述PDL層靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸,所述陰極保護(hù)層靠近蓋板的一側(cè)與蓋板之間的預(yù)設(shè)距離為0.4~1μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第一支柱的高度為1.2~1.8μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第二支柱與所述PDL層靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸,所述第二支柱的高度為1.8~2.5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第二支柱與所述PDL層靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸,所述第二支柱的高度高于所述第一支柱的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第二支柱與所述PDL層靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸,所述第一支柱下表面靠近第二支柱的一側(cè)與所述第二支柱上表面靠近第一支柱一側(cè)的水平距離為4~6μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述第二支柱與所述第一支柱靠近蓋板一側(cè)的陰極保護(hù)層相抵觸,所述第二支柱的高度與所述陰極保護(hù)層靠近蓋板的一側(cè)與蓋板之間的預(yù)設(shè)距離相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMOLED顯示面板,其特征在于,所述基板和蓋板通過frit膠封裝連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





