[實用新型]一種異型半導體納米電熱膜發熱體

有效

• 申請號: 202220411843.0
• 申請日: 2022-02-28
• 公開（公告）號: CN216775052U
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 羅浩;楊小華;蔡建財
• 申請（專利權）人: 福建晶烯新材料科技有限公司
• 主分類號: H05B3/02
• 分類號: H05B3/02;H05B3/03;H05B3/20
• 代理公司: 北京深川專利代理事務所(普通合伙) 16058
• 代理人: 徐文昌

本實用新型公開了一種異型半導體納米電熱膜發熱體，包括基體，所述基體內的左右兩側均鍍有電極，所述基體上表面的中部鍍有半導體納米電熱膜，所述半導體納米電熱膜的兩端與兩個電極通電部位固定連接，所述半導體納米電熱膜的數量大于一個，所述基體上表面的外側和兩個相鄰的半導體納米電熱膜之間均使用半導體納米電熱膜阻隔液防止鍍膜的處理或在鍍膜后可以進行激光除膜和打磨噴砂處理形成未鍍膜絕緣基體，本異型半導體納米電熱膜發熱體，大大提高了發熱面積在基體上的占比，在相同面積下就提高了熱效能和性價比，且在面狀發熱均勻度，過載電流的承載，美觀度方面都有了很大的提升。

技術領域

本實用新型涉及電熱膜技術領域，具體為一種異型半導體納米電熱膜發熱體。

背景技術

透明半導體納米電熱膜是新一代的發熱材料。它的發熱方式不同于傳統金屬電阻絲。它零感抗，純電阻發熱，可接受1V-1000V電壓輸入，供電電源不分正負，交直流均可使用。并且以面狀發熱打破了傳統的線狀發熱形態，熱傳遞效果好，電熱轉換效率高：80％～97％，具有較好的節能優勢。其具有抗酸堿腐蝕，抗氧化，阻燃，防潮，膜層硬度高，需金剛砂以上的硬度打磨才會破壞膜層，膜層無毒、無有害輻射、無任何污染等物化性質。

如圖4所示傳統圓形制作形式由于電流都往中心集中，對電熱膜均勻性要求很高，若半導體納米電熱膜電阻均勻性相差±15Ω，長期使用則存在電流短路破壞電熱膜的風險。且這種方式接線中心溫度會較高，必須使用高溫接線的方式，但老化程度還是會較大。在使用過程中也存在弊端，由于中心是電極接線位置，中心是不發熱的。由于發熱面積的分布的局限性，市場需求度會受影響；如圖5所示傳統圓形制作形式由于電極制作必須平行，(平面電路的通電原理是只走線路最短的路徑，所以兩端電極必須平行，才不會造成尖端放電的現象。)則會浪費大量的發熱區域，只有中心方形區域才能發熱，這樣制作發熱面積的比例較低，則會造成產品性價比較差，其他異性的半導體納米電熱膜發熱體還未制作，難點就在于電極電路的設計和分布。

實用新型內容

鑒于現有技術中所存在的問題，本實用新型公開了一種異型半導體納米電熱膜發熱體，采用的技術方案是，包括基體，所述基體內的左右兩側均鍍有電極，所述基體上表面的中部鍍有半導體納米電熱膜，所述半導體納米電熱膜的兩端與兩個電極通電部位固定連接，所述半導體納米電熱膜的數量大于一個，所述基體上表面的外側和兩個相鄰的半導體納米電熱膜之間均使用半導體納米電熱膜阻隔液防止鍍膜的處理或在鍍膜后可以進行激光除膜和打磨噴砂處理形成未鍍膜絕緣基體，未鍍膜絕緣基體分隔每一個電熱膜區域的絕緣段原理只是分隔不過電即可，分隔絕緣段區域不用太寬，可以細窄，保證絕緣不發熱區域面積小，不要影響溫度均勻性即可。

作為本實用新型的一種優選技術方案，每個所述半導體納米電熱膜的面積相等，半導體納米電熱膜的個數為任意個數，半導體納米電熱膜面積相等是為了確保他們之間的功率都相等，發熱時每個面積的發熱溫度都相同，這種制作方式的溫度不均勻度相差較低，因為電熱膜面積的平均分隔可以減少了功率密度的誤差，且每個區域的半導體納米電熱膜獨立工作，通電電流平均分散至各個區域，很大的降低了過載電流的風險，穩定性更高。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述電極兩端采用高溫接線的方式與外部的導線連接。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述電極為臺階狀，且兩個電極與每個半導體納米電熱膜通電部位相互平行，半導體納米電熱膜兩側的通電電極是兩側平行的，上下半導體納米電熱膜之間互相獨立，不存在尖端放電的風險，穩定安全。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述基體的側面做有絕緣處理，可防止使用時出現漏電等危險情況。

作為本實用新型的一種優選技術方案，所述基體的材質為玻璃、陶瓷和經絕緣層處理后的金屬。