[實用新型]一種集成式基島框架結構

有效

• 申請號: 202220372053.6
• 申請日: 2022-02-23
• 公開（公告）號: CN217035629U
• 公開（公告）日: 2022-07-22
• 發明（設計）人: 關竹穎
• 申請（專利權）人: 無錫華眾芯微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 曹慧萍

1.一種集成式基島框架結構，其特征在于，所述框架結構分為高壓區和低壓區，所述高壓區包括整流二極管基島、功率管基島和直連式基島引腳；所述低壓區包括主控芯片基島和分離式基島引腳；

所述整流二極管基島位于所述高壓區的邊側，所述整流二極管基島上設置有所述直連式基島引腳，所述直連式基島引腳與所述整流二極管基島直接連接；

所述功率管基島位于所述高壓區另一邊側，且與所述低壓區相鄰，所述功率管基島上連接有所述直連式基島引腳；

所述主控芯片基島位于所述框架結構的中部，和所述整流二極管基島以及所述功率管基島之間電氣隔離，所述主控芯片基島上連接有所述直連式基島引腳。

2.根據權利要求1所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述高壓區用于放置基島，所述主控芯片基島上方承載有主控芯片；所述整流二極管基島上方承載有整流橋器件；所述功率管基島上方承載有功率管器件；

所述框架結構為矩形結構，所述高壓區包括交流高壓區和直流高壓區，所述整流二極管基島為交流高壓區，所述功率管基島為直流高壓區；

所述低壓區包括芯片低壓區和引腳低壓區，所述主控芯片基島為芯片低壓區，且位于交流高壓區和直流高壓區之間，所述引腳低壓區呈矩形結構，且位于靠近所述框架結構直角側邊位置。

3.根據權利要求2所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述引腳低壓區設置有三個所述分離式基島引腳，所述分離式基島引腳為L形，彼此電氣隔離，且不與所述主控芯片基島以及所述功率管基島直接接觸。

4.根據權利要求2所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述整流二極管基島包括第一整流二極管基島、第二整流二極管基島和第三整流二極管基島；

所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島為對稱式基島，位于所述交流高壓區的最外側，上方承載有第一整流橋器件和第二整流橋器件；所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島上對稱設置有一個所述直連式基島引腳，作為交流輸入引腳，用于整流電路的交流電壓輸入；

所述第三整流二極管基島位于所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島內側，上方承載有第三整流橋器件，通過打線方式與所述第一整流二極管基島和所述第二整流二極管基島連接，所述第三整流二極管基島上設置有一個所述直連式基島引腳，作為整流輸出引腳，用于輸出整流后的全波正電壓。

5.根據權利要求4所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述主控芯片基島位于所述第三整流二極管基島和所述功率管基島之間，上方承載主控芯片；所述主控芯片基島上設置有一個所述直連式基島引腳，且與所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于異側，作為接地引腳，用于全波整流的返回端。

6.根據權利要求5所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述第一整流二極管基島的交流輸入引腳和所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于同側，且間距不小于第一閾值距離；所述第二整流二極管基島的交流輸入引腳和所述主控芯片基島的接地引腳位于同側，間距不小于第二閾值距離。

7.根據權利要求5所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述功率管基島上設置有三個所述直連式基式島引腳，作為功率輸出引腳，用于控制外接變壓器初級繞組的電感電流；

所述功率管基島的功率輸出引腳與所述第三整流二極管基島的整流輸出引腳位于同側，且間距不小于第三閾值距離；其中，功率輸出引腳之間的間距不小于第四閾值距離。

8.根據權利要求3所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述分離式基島引腳分別為主控供電引腳、信號反饋引腳以及電流檢測引腳，且和所述功率管基島的功率輸出引腳為異側；

所述主控供電引腳和所述信號反饋引腳分別通過打線方式與所述主控芯片連接；所述電流檢測引腳通過打線方式分別與所述主控芯片以及功率管器件連接。

9.根據權利要求1至8任一所述的集成式基島框架結構，其特征在于，所述主控芯片基島、所述整流二極管基島、所述功率管基島以及所述分離式基島引腳底部采用鍍鎳處理，并通過合金線/金線與芯片連接；框架結構采用SOP10貼片封裝工藝形成塑封體，塑封體外部的引腳采用鍍銀處理。