[實用新型]晶圓的測試結構

有效

• 申請號: 202220300059.2
• 申請日: 2022-02-15
• 公開（公告）號: CN216749888U
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 于江勇;張小麟;代佳;張欣慰;周源;羅胡瑞
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;G01B7/02
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 楊思雨

1.一種晶圓的測試結構，所述晶圓包括多個半導體器件，其中至少一個半導體器件包括柵極以及位于所述柵極外圍的側墻，其特征在于，所述測試結構包括第一測試單元，所述第一測試單元包括：

位于半導體層上并沿第一方向間隔排列的第一偽柵和第二偽柵；

位于所述半導體層上的第一偽側墻和第二偽側墻，所述第一偽側墻位于所述第一偽柵的外圍，所述第二偽側墻位于所述第二偽柵的外圍，至少部分所述第一偽側墻與所述第二偽側墻相對設置；

位于所述半導體層中的第一摻雜區，所述第一摻雜區包括位于所述第一偽側墻與所述第二偽側墻之間的重摻雜區，所述重摻雜區包括沿第二方向設置的兩個分隔的接觸區，位于兩個接觸區之間的所述重摻雜區的截面形狀呈矩形；以及

第一測試電極和第二測試電極，分別電連接至所述重摻雜區的兩個接觸區，

其中，所述第一方向、所述第二方向以及所述半導體層的厚度方向彼此垂直。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試單元還包括第一絕緣層，位于所述半導體層的表面，所述第一偽柵與所述第二偽柵位于所述第一絕緣層的表面。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一摻雜區還包括位于所述第一偽柵與所述第二偽柵之間的輕摻雜區，所述輕摻雜區與所述重摻雜區接觸。

4.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一偽側墻與所述第二偽側墻位于所述第一絕緣層的表面。

5.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述第一絕緣層為氧化層。

6.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試單元包括第一區域與圍繞所述第一區域的第二區域，位于所述第一區域的所述氧化層的厚度小于位于所述第二區域的所述氧化層的厚度，

其中，至少所述第一摻雜區上方的所述氧化層位于所述第一區域。

7.根據權利要求6所述的測試結構，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一區域與所述第二區域的鄰接位置分別位于所述第一偽柵的下方與所述第二偽柵的下方。

8.根據權利要求1-7任一項所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試單元還包括第二絕緣層，覆蓋所述第一偽柵、所述第二偽柵、所述第一偽側墻以及所述第二偽側墻，

所述第一測試電極與所述第二測試電極均位于所述第二絕緣層的表面。

9.根據權利要求8所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試單元還包括：

多個導電插塞，貫穿所述第二絕緣層；以及

多條引線，位于所述第二絕緣層的表面；

所述第一測試電極與所述第二測試電極分別通過對應的引線和導電插塞電連接至所述重摻雜區的兩個接觸區。

10.根據權利要求1-7任一項所述的測試結構，其特征在于，還包括與所述第一測試單元分隔的第二測試單元，所述第二測試單元包括：

位于所述半導體層中的第二摻雜區；以及

第三測試電極和第四測試電極，分別電連接至所述第二摻雜區，

其中，所述第二摻雜區的方塊電阻與所述重摻雜區的方塊電阻相同。