[實(shí)用新型]托盤結(jié)構(gòu)及等離子體刻蝕裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220249269.3
• 申請日: 2022-01-29
• 公開（公告）號: CN217062013U
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張濤;喻兵;張彬彬;黃先康;蘇財(cái)鈺
• 申請（專利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 劉娜

本實(shí)用新型涉及一種托盤結(jié)構(gòu)及等離子體刻蝕裝置。托盤結(jié)構(gòu)包括：托盤本體，托盤本體的上表面開設(shè)有多個間隔設(shè)置的放置槽，用于放置待處理件，托盤本體的下表面開設(shè)有預(yù)混合槽，放置槽內(nèi)設(shè)置有氣體擴(kuò)散孔，氣體擴(kuò)散孔用于連通放置槽和預(yù)混合槽，以將冷卻氣體由預(yù)混合槽引導(dǎo)至放置槽，其中，托盤本體的上表面和托盤本體的下表面相對設(shè)置。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中制程時托盤的溫度均一性較差的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種托盤結(jié)構(gòu)及等離子體刻蝕裝置。

背景技術(shù)

在目前LED(發(fā)光二極管)、半導(dǎo)體等中的等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，特別在干法蝕刻制造技術(shù)領(lǐng)域中，通常使用一種晶圓托盤作為承載晶圓的載體，以達(dá)到溫度控制、提高制造效率、傳送晶圓的目的。在晶圓托盤本體上會有多個晶圓放置平臺，需要進(jìn)行工藝制作的晶圓通常會放在晶圓放置平臺上，然后放入等離子體腔室中進(jìn)行工藝處理。

在工藝過程中，等離子體中帶電離子會對晶圓表面進(jìn)行轟擊從而造成溫度升高，此時通常會利用冷卻氣體例如氦氣冷卻晶圓。但是，下電極上的出氣孔不一定正對托盤的氣體擴(kuò)散孔，導(dǎo)致托盤的溫度均一性較差，進(jìn)而影響了晶圓的溫度均一性。

因此，如何提高制程時托盤的溫度均一性是亟需解決的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本申請的目的在于提供一種托盤結(jié)構(gòu)及等離子體刻蝕裝置，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中制程時托盤的溫度均一性較差的問題。

一種托盤結(jié)構(gòu)，包括：托盤本體，托盤本體的上表面開設(shè)有多個間隔設(shè)置的放置槽，用于放置待處理件，托盤本體的下表面開設(shè)有預(yù)混合槽，放置槽內(nèi)設(shè)置有氣體擴(kuò)散孔，氣體擴(kuò)散孔用于連通放置槽和預(yù)混合槽，以將冷卻氣體由預(yù)混合槽引導(dǎo)至放置槽，其中，托盤本體的上表面和托盤本體的下表面相對設(shè)置。

上述通過在托盤本體的下表面開設(shè)預(yù)混合槽，冷卻氣體從下電極的出氣孔先進(jìn)入預(yù)混合槽進(jìn)行預(yù)混合，從而更均勻地通過氣體擴(kuò)散孔進(jìn)入放置槽內(nèi)，對放置在放置槽內(nèi)的待處理件進(jìn)行冷卻降溫，使得氣體擴(kuò)散孔無需與下電極的出氣孔對準(zhǔn)，大大提高了托盤本體的溫度均一性，解決了現(xiàn)有技術(shù)中制程時托盤的溫度均一性較差的問題，同時還提高了對待處理件的冷卻降溫效果，保證處理后的待處理件具有良好的良率，同時提高刻蝕效率。

可選地，氣體擴(kuò)散孔相對于托盤本體的表面傾斜設(shè)置。通過上述設(shè)置，傾斜的氣體擴(kuò)散孔能夠?qū)鋮s氣體起到緩沖的作用，從而避免冷卻氣體從預(yù)混合槽直吹進(jìn)入放置槽，使得冷卻氣體能夠更均勻地進(jìn)入放置槽，從而提高托盤本體的溫度均一性，進(jìn)而保證待處理件表面的溫度均一性，保證處理后的待處理件具有良好的良率。

可選地，預(yù)混合槽的深度小于等于1.5mm。通過上述設(shè)置，將預(yù)混合槽的深度限制在一定范圍內(nèi)，既不會影響托盤本體的整體強(qiáng)度，保證托盤本體的使用壽命，同時能夠保證預(yù)混合槽對冷卻氣體的預(yù)混合效果，使得冷卻氣體能夠均勻地從預(yù)混合槽進(jìn)入放置槽內(nèi)，從而保證托盤本體的溫度均一性，進(jìn)而保證待處理件表面的溫度均一性，保證處理后的待處理件具有良好的良率。

可選地，托盤結(jié)構(gòu)還包括密封件，密封件設(shè)置在放置槽的外周緣，用于密封放置槽。通過設(shè)置密封件，待處理件放置在放置槽內(nèi)后與密封件抵接，從而將放置槽密封住，防止冷卻氣體從放置槽的槽口泄漏進(jìn)等離子體工藝腔中，進(jìn)而避免等離子體刻蝕裝置宕機(jī)，影響生產(chǎn)效率。

可選地，托盤結(jié)構(gòu)還包括限位件，限位件為多個，多個限位件間隔設(shè)置在托盤本體的上表面。通過設(shè)置限位件，使得等離子體刻蝕裝置的防護(hù)罩能夠穩(wěn)固地固定在托盤本體上，避免發(fā)生位移影響對待處理件的處理。

可選地，一個放置槽內(nèi)設(shè)置有多個氣體擴(kuò)散孔，多個氣體擴(kuò)散孔間隔設(shè)置。通過上述設(shè)置，使得放置槽內(nèi)的各個位置均能夠直接地通入冷卻氣體而無需其他位置的擴(kuò)散，保證每個放置槽內(nèi)的溫度均一性，進(jìn)而保證放置槽內(nèi)的待處理件具有良好的均一性，保證處理后的待處理件具有良好的良率。