[實(shí)用新型]一種量子器件和量子芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220246493.7 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-29 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN216958081U | 公開（公告）日： | 2022-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊暉;馬亮亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 合肥本源量子計(jì)算科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L39/02 | 分類號(hào)： | H01L39/02;H01L39/04;H01L39/06;G06N10/40 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市合肥市高*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 器件 芯片 | ||
1.一種量子器件，其特征在于，包括：
具有第一量子元件(2)、第二量子元件(3)的第一襯底(1)；
跨接所述第一量子元件(2)、所述第二量子元件(3)的連接元件(5)，所述連接元件(5)用于與位于第二襯底(7)的第三量子元件(8)連接。
2.如權(quán)利要求1所述的量子器件，其特征在于，所述連接元件(5)與所述第一量子元件(2)、所述第二量子元件(3)之間分別形成有阻擋層(6)。
3.如權(quán)利要求2所述的量子器件，其特征在于，還包括位于所述第一襯底(1)與所述連接元件(5)之間的支撐層(4)。
4.如權(quán)利要求3所述的量子器件，其特征在于，所述阻擋層(6)分布于所述支撐層(4)的兩側(cè)。
5.如權(quán)利要求3所述的量子器件，其特征在于，所述支撐層(4)為二氧化硅支撐層。
6.如權(quán)利要求1－5任一項(xiàng)所述的量子器件，其特征在于，所述第三量子元件(8)上形成有用于與所述連接元件(5)焊接的輔助連接件(10)。
7.如權(quán)利要求6所述的量子器件，其特征在于，所述第二襯底(7)上具有第四量子元件(9)，所述第四量子元件(9)與所述輔助連接件(10)連接。
8.如權(quán)利要求6所述的量子器件，其特征在于，所述連接元件(5)的高度為5－15微米，所述輔助連接件(10)與所述連接元件(5)的高度相同。
9.如權(quán)利要求1所述的量子器件，其特征在于，所述第一襯底(1)與所述第二襯底(7)互相平行。
10.一種量子芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1－9任一項(xiàng)所述的量子器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L39-00 應(yīng)用超導(dǎo)電性的或高導(dǎo)電性的器件，專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L39-02 .零部件
H01L39-14 .永久超導(dǎo)體器件
H01L39-16 .在超導(dǎo)電和正常導(dǎo)電狀態(tài)之間可切換的器件
H01L39-22 .包含有一個(gè)不同材料結(jié)點(diǎn)的器件，例如約瑟夫遜效應(yīng)器件
H01L39-24 .專門適用于制造或處理包含在H01L 39/00組內(nèi)的器件或其部件的方法或設(shè)備
