[實用新型]一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件有效
| 申請號： | 202220245970.8 | 申請日： | 2022-01-28 |
| 公開（公告）號： | CN216902955U | 公開（公告）日： | 2022-07-05 |
| 發明（設計）人： | 黃定龍;程知群;樂超 | 申請（專利權）人： | 杭州恒創微電子有限公司;杭州電子科技大學富陽電子信息研究院有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律師事務所 33233 | 代理人： | 陸永強 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 線性 gan hemt 射頻 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，包括依次設置的襯底層、緩沖層、溝道層、阻擋層、保護層，在保護層的上方設置源極、柵極和漏極；其中，所述保護層形成L形槽，所述源極設置在L形槽的頂部使源極端口和柵極端口在水平空間上相互錯開。
2.根據權利要求1所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，漏極端口頂部與柵極端口頂部齊平，源極端口底部與柵極端口頂部齊平。
3.根據權利要求1或2所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，溝道層采用GaN材料。
4.根據權利要求1或2所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，阻擋層采用AlGaN材料。
5.根據權利要求1或2所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，襯底層采用SiC材料。
6.根據權利要求1或2所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，緩沖層采用GaN材料。
7.根據權利要求1或2所述的高線性度的GaN HEMT射頻功率器件，其特征在于，源極、柵極和漏極之間填充Si3N4介質材料。
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