[實(shí)用新型]一種可提高硅晶體拉速的水冷屏及制備該水冷屏的模具有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220237316.2 | 申請(qǐng)日： | 2022-01-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN217077848U | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周建輝;張文霞;王勝利;鞏名揚(yáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 內(nèi)蒙古中環(huán)協(xié)鑫光伏材料有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/00 | 分類號(hào)： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 欒志超 |
| 地址： | 010070 內(nèi)蒙古自*** | 國(guó)省代碼： | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 晶體 水冷 制備 模具 | ||
1.一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，包括筒狀的內(nèi)壁面，在所述內(nèi)壁面上至少部分為曲面，所述曲面靠近水冷屏的下端面一側(cè)設(shè)置；所述曲面能夠在拉制硅晶體時(shí)增加與所述硅晶體接觸的換熱面積以提高所述硅晶體的縱向溫度梯度來(lái)提高所述硅晶體的拉速。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，所述曲面布滿整個(gè)所述內(nèi)壁面設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，所述曲面包括設(shè)于所述內(nèi)壁面上的凸點(diǎn)或凹點(diǎn)形成的若干曲線，所述曲線沿所述內(nèi)壁面徑向設(shè)置或軸向設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，當(dāng)所述曲面為所述曲線沿所述內(nèi)壁面徑向設(shè)置時(shí)，所述曲線為環(huán)形結(jié)構(gòu)或螺旋上升的結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，當(dāng)所述曲面為所述曲線沿所述內(nèi)壁面軸向設(shè)置時(shí)，所述曲線沿所述內(nèi)壁面高度豎直設(shè)置或繞設(shè)于所述內(nèi)壁面高度偏轉(zhuǎn)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，所述曲線相鄰緊挨設(shè)置或間隔并排設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，所述曲線沿所述內(nèi)壁面徑向或軸向一體結(jié)構(gòu)或半體結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4-5、7任一項(xiàng)所述的一種可提高硅晶體拉速的水冷屏，其特征在于，所述凸點(diǎn)或所述凹點(diǎn)為圓形結(jié)構(gòu)或錐形結(jié)構(gòu)或多邊形結(jié)構(gòu)。
9.一種模具，其特征在于，用于制備如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的水冷屏。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種模具，其特征在于，所述模具包括內(nèi)模和外模，在所述內(nèi)模靠近所述水冷屏一側(cè)設(shè)有與所述曲面相配合的曲線壁。
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