[實用新型]靜電放電保護器件以及電子電路

有效

• 申請號: 202220234104.9
• 申請日: 2022-01-28
• 公開（公告）號: CN217239456U
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: F·塔耶
• 申請（專利權）人: 意法半導體(魯塞)公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

本公開的實施例涉及靜電放電保護器件以及電子電路。一種靜電放電保護器件，其特征在于，包括：第一限幅電路，耦合在第一節點和第二節點之間；第二有源限幅電路，包括金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及第一電阻器，與第二有源限幅電路串聯耦合，其中第二有源限幅電路和第一電阻器耦合在第一節點和第二節點之間。利用本公開的實施例有利地形成能夠承受顯著電流峰值同時具有低限幅閾值的ESD保護器件。

技術領域

本公開總體上涉及電子器件，更具體地，涉及針對靜電放電進行保護的電子器件。

背景技術

已知防護和防止靜電放電或ESD保護的不同器件。

實用新型內容

本公開的目的是提供一種靜電放電保護器件，以至少部分地解決現有技術中存在的問題。

本公開的一方面提供一種靜電放電保護器件，包括：第一限幅電路，耦合在第一節點和第二節點之間；第二有源限幅電路，包括金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及第一電阻器，與第二有源限幅電路串聯耦合，其中第二有源限幅電路和第一電阻器耦合在第一節點和第二節點之間。

根據一個或多個實施例，其中第二有源限幅電路和第一電阻器通過器件的輸出節點彼此耦合。

根據一個或多個實施例，其中金屬氧化物半導體場效應晶體管是N溝道晶體管。

根據一個或多個實施例，其中第二有源限幅電路具有小于1歐姆的導通狀態電阻。

根據一個或多個實施例，其中第一電阻器具有小于100歐姆的值。

根據一個或多個實施例，其中第一限幅電路包括雙極晶體管。

根據一個或多個實施例，其中雙極晶體管是NPN型晶體管。

根據一個或多個實施例，其中第一限幅電路包括耦合在雙極晶體管的控制端子與第二節點之間的第二電阻器。

根據一個或多個實施例，其中第二電阻器具有小于1歐姆的值。

根據一個或多個實施例，其中第一限幅電路的第一限幅閾值大于第二有源限幅電路的第二限幅閾值。

本公開的又一方面提供了一種電子電路，包括：一個或多個靜電放電保護器件，各自包括：第一限幅電路，耦合在第一節點和第二節點之間；第二有源限幅電路，包括金屬氧化物半導體場效應晶體管；以及第一電阻器，與第二有源限幅電路串聯耦合，其中第二有源限幅電路和第一電阻器耦合在第一節點和第二節點之間；以及一個或多個受保護的器件，每個受保護的器件耦合到靜電放電保護器件中的相應靜電放電保護器件。

根據一個或多個實施例，其中至少兩個靜電放電保護器件包括相應的第一限幅電路并且共享第二有源限幅電路。

根據一個或多個實施例，其中第二有源限幅電路和第一電阻器通過相應靜電放電保護器件的輸出節點彼此耦合。

根據一個或多個實施例，其中輸出節點通過二極管耦合到第二有源限幅電路的端子。

根據一個或多個實施例，其中靜電放電保護器件中的一個靜電放電保護器件的輸出節點耦合到兩個第二有源限幅電路，第二有源限幅電路中的一個第二有源限幅電路與至少另一靜電放電保護器件共享。

根據一個或多個實施例，其中金屬氧化物半導體場效應晶體管是N溝道晶體管。

根據一個或多個實施例，其中第二有源限幅電路具有小于1歐姆的導通狀態電阻。

根據一個或多個實施例，其中第一電阻器具有小于100歐姆的值。

根據一個或多個實施例，其中第一限幅電路包括雙極晶體管。

根據一個或多個實施例，其中第一限幅電路的第一限幅閾值大于第二有源限幅電路的第二限幅閾值。