[實用新型]一種基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器

有效

• 申請號: 202220205325.3
• 申請日: 2022-01-25
• 公開（公告）號: CN218217315U
• 公開（公告）日: 2023-01-03
• 發明（設計）人: 蓋廣洪;馮銘昆;劉兆年;黃一
• 申請（專利權）人: 蘇州航凱微電子技術有限公司
• 主分類號: H03H1/00
• 分類號: H03H1/00
• 代理公司: 深圳騰文知識產權代理有限公司 44680
• 代理人: 劉洵

1.一種基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，包括：

第一諧振模塊、第二諧振模塊和AW諧振器電路；

所述AW諧振器電路的輸入端連接所述第一諧振模塊，所述AW諧振器電路的輸出端連接所述第二諧振模塊，所述AW諧振器電路、所述第一諧振模塊和所述第二諧振模塊串聯，并通過IPD工藝集成在同一集成電路中；

所述AW諧振器電路由AW諧振器、第一集總元件和第二集總元件并聯，所述AW諧振器的Q值高于所述第一集總元件及所述第二集總元件的Q值，以使得所述AW諧振器電路的Q值得到提高。

2.根據權利要求1所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述AW諧振器電路等效為并聯的LC串聯諧振回路和LC并聯諧振回路。

3.根據權利要求2所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述LC串聯諧振回路和所述LC并聯諧振回路之間形成MIM金屬-絕緣層-金屬電容。

4.根據權利要求3所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述MIM金屬-絕緣層-金屬電容的計算公式為：

其中ε_r和ε₀為介電常數，S為所述集成電路中電路板的面積，d為所述集成電路中電路板與電路板之間的距離。

5.根據權利要求2所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述LC并聯諧振回路包含第一電容和第一電感，所述第一電容的容抗可變。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述第一諧振模塊及所述第二諧振模塊的諧振頻率與所述AW諧振器電路的中心頻率相同，所述第一諧振模塊和所述第二諧振模塊用于增大所述AW諧振器電路的帶外抑制。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述第一諧振模塊包含第二電感和第二電容，所述第二電感和所述第二電容并聯，所述第一諧振模塊的輸出端接地，所述第一諧振模塊為一條LC并聯諧振回路。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述第二諧振模塊包含第三電感和第三電容，所述第三電感和所述第三電容并聯，所述第二諧振模塊的輸出端接地，所述第二諧振模塊為一條LC并聯諧振回路。

9.根據權利要求1至5中任一項所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述AW諧振器電路外圍設有不止一個平面螺旋電感。

10.根據權利要求9所述的基于IPD工藝的AWR-LC混合濾波器，其特征在于，所述平面螺旋電感的形狀可設置為四邊形、六邊形或八邊形。