[實用新型]一種晶圓結構及光學生物識別模組

有效

• 申請號: 202220148066.5
• 申請日: 2022-01-20
• 公開（公告）號: CN216698282U
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 姜桐;黃昊;劉自濤
• 申請（專利權）人: 上海菲戈恩微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;G06V10/12;G06V40/13
• 代理公司: 成都蓉創智匯知識產權代理有限公司 51276
• 代理人: 譚新民

本實用新型公開了一種晶圓結構及光學生物識別模組，包括晶圓基體和排列在晶圓基體上的若干芯片單元，相鄰兩個芯片單元之間設置切割道，每1芯片單元包括微透鏡、紅外截止濾光層和消光光闌層，所述切割道上設置有工藝輔助結構。本實用新型解決了因涂膠不均勻使得結構厚度均勻差，從而導致指紋芯片采集圖像的像素值不均勻的問題。

技術領域

本實用新型屬于電子領域，具體涉及一種晶圓結構及光學生物識別模組。

背景技術

當前晶圓制作工藝的紅外截止濾光層及消光光闌層的制作工藝如圖1，包括：

S01:取晶圓基體1，如圖2；

S02:利用剝離工藝在晶圓基體1形成紅外截止濾光層4，如圖3，圖3中，相鄰兩個芯片單元3之間設置有切割道2；

S03：旋涂黑色光刻膠，光刻形成消光光闌5，如圖4。

上述工藝中，紅外截止濾光層4的厚度約6.5um，因此在形成消光光闌層5時，由于與切割道2的高度差過大，導致旋轉涂黑色光刻膠不均勻。因芯片單元3涂膠不均勻使得結構厚度均勻性差，從而導致指紋芯片采集圖像的像素值不均勻，影響產品的性能。因此，制造過程中產生更多的不良品，導致良率下降，成本增加。

最終形成的晶圓結構如圖5，芯片效果圖如圖6，圖5的晶圓結構，包括晶圓基體1和排列在晶圓基體1上的若干芯片單元3，相鄰兩個芯片單元3之間設置切割道2，芯片單元3均包括微透鏡8、紅外截止濾光層4和消光光闌5，芯片單元3還可以包括消雜光光闌7和填充層6。

實用新型內容

為了解決上述缺陷，本實用新型提供一種晶圓結構，該晶圓結構解決了因涂膠不均勻使得結構厚度均勻差，從而導致指紋芯片采集圖像的像素值不均勻的問題。

一種晶圓結構，包括晶圓基體和排列在晶圓基體上的若干芯片單元，相鄰兩個芯片單元之間設置切割道，每1芯片單元包括微透鏡、紅外截止濾光層和消光光闌層，所述切割道上設置有工藝輔助結構。

可選地，所述工藝輔助結構的下表面與晶圓基體連接，上表面與紅外截止濾光層的上表面在同一平面上。

可選地，所述工藝輔助結構為輔助光刻膠形成的工藝輔助結構。

可選地，所述工藝輔助結構為輔助光刻膠形成的工藝輔助結構。

可選地，所述紅外截止濾光層厚度為6-8um。

可選地，所述晶圓基體厚度為700-850um。

可選地，所述消光光闌層厚度為1-2um。

本申請還提供一種晶圓制造方法。

一種晶圓制造方法，該方法在消光光闌制作前，先在切割道上形成工藝輔助結構。

通過在切割道上形成工藝輔助結構，從而在消光光闌制作時，消除了因涂膠不均勻使得結構厚度均勻差，從而導致指紋芯片采集圖像的像素值不均勻的問題。

可選地，所述工藝輔助結構的上表面與消光光闌制作時的芯片單元的上表面在同一水平面上。

可選地，所述工藝輔助結構通過旋涂輔助光刻膠，光刻輔助光刻膠形成。

本實用新型還提供一種晶圓制造方法。

一種晶圓制造方法，包括以下步驟：

S01：取晶圓基體；

S02：在晶圓基體形成紅外截止濾光層；

S03：形成工藝輔助結構；

S04：旋涂黑色光刻膠，光刻形成消光光闌結構層。

可選地，所述S03包括以下步驟：