[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220146302.X
• 申請(qǐng)日: 2022-01-19
• 公開（公告）號(hào): CN217387156U
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳筍弘;鄭存閔;吳家偉;林毓純;林呂勇;張正國(guó);李武祥;劉益東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 陳超德;吳昊

本實(shí)用新型公開了半導(dǎo)體裝置，半導(dǎo)體裝置包括襯底、多條位線、多個(gè)觸點(diǎn)、多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)以及金屬硅化物層。位線設(shè)置于襯底上，觸點(diǎn)設(shè)置于襯底上并與位線交替且分隔地設(shè)置，其中，觸點(diǎn)包括依序堆疊的第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，其中，第二半導(dǎo)體層包含未摻雜硅。間隙壁結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底上并分別位于各位線以及各觸點(diǎn)之間。金屬硅化物層設(shè)置于各觸點(diǎn)的第二半導(dǎo)體層上。如此，可改善存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)插塞的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，進(jìn)而優(yōu)化所述半導(dǎo)體裝置的裝置效能。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型系關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

隨著各種電子產(chǎn)品朝小型化發(fā)展之趨勢(shì)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的設(shè)計(jì)也必須符合高積集度及高密度之要求。對(duì)于具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)之動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic randomaccess memory，DRAM)而言，由于其可以在相同的半導(dǎo)體襯底內(nèi)獲得更長(zhǎng)的載子通道長(zhǎng)度，以減少電容結(jié)構(gòu)之漏電情形產(chǎn)生，因此在目前主流發(fā)展趨勢(shì)下，其已逐漸取代僅具備平面閘極結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體。

一般來說，具備凹入式閘極結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是由數(shù)目龐大的存儲(chǔ)單元(memory cell)聚集形成一陣列區(qū)，用來存儲(chǔ)信息，而每一存儲(chǔ)單元可由一晶體管組件與一電容器組件串聯(lián)組成，以接收來自于字線(word line，WL)及位線(bit line，BL)的電壓信息。因應(yīng)產(chǎn)品需求，陣列區(qū)中的存儲(chǔ)單元密度須持續(xù)提升，造成相關(guān)制作工藝與設(shè)計(jì)上的困難度與復(fù)雜度不斷增加。因此，現(xiàn)有技術(shù)還待進(jìn)一步改良以有效提升相關(guān)存儲(chǔ)裝置的效能及可靠度。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型之一目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法，其是形成具復(fù)合層結(jié)構(gòu)的觸點(diǎn)，以改善存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)插塞的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，進(jìn)而優(yōu)化所述半導(dǎo)體裝置的裝置效能。

為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型之一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括襯底、多條位線、多個(gè)觸點(diǎn)、多個(gè)間隙壁結(jié)構(gòu)以及金屬硅化物層。所述位線設(shè)置于所述襯底上。所述觸點(diǎn)設(shè)置于所述襯底上并與所述位線交替且分隔地設(shè)置，其中，所述觸點(diǎn)包括依序堆疊的第一半導(dǎo)體層以及第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層包含未摻雜硅。所述間隙壁結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述襯底上并分別位于各所述位線以及各所述觸點(diǎn)之間。所述金屬硅化物層設(shè)置于各所述觸點(diǎn)的所述第二半導(dǎo)體層上。

為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型之一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，其包含以下步驟。提供襯底，于所述襯底上形成多條位線。接著，于所述位線的側(cè)壁上分別形成間隙壁結(jié)構(gòu)，并且，于相鄰的所述間隙壁結(jié)構(gòu)之間形成第一半導(dǎo)體層。然后，進(jìn)行沉積制作工藝，于所述第一半導(dǎo)體層上形成第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層包含未摻雜硅。之后，進(jìn)行金屬硅化物制作工藝，于所述第一半導(dǎo)體層上形成所述金屬硅化物層。

附圖說明

所附圖示提供對(duì)于本實(shí)用新型實(shí)施例的更深入的了解，并納入此說明書成為其中一部分。這些圖示與描述，用來說明一些實(shí)施例的原理。需注意的是所有圖示均為示意圖，以說明和制圖方便為目的，相對(duì)尺寸及比例都經(jīng)過調(diào)整。相同的符號(hào)在不同的實(shí)施例中代表相對(duì)應(yīng)或類似的特征。

圖1至圖5為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的形成方法的步驟示意圖，其中：

圖1為一半導(dǎo)體裝置于形成位線后的俯視示意圖；

圖2為圖1沿著切線A-A’的剖面示意圖；

圖3為一半導(dǎo)體裝置于形成導(dǎo)電層后的剖面示意圖；

圖4為一半導(dǎo)體裝置于進(jìn)行回蝕刻制作工藝后的剖面示意圖；以及

圖5為一半導(dǎo)體裝置于形成金屬硅化物層后的剖面示意圖。

圖6至圖9為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中半導(dǎo)體裝置的形成方法的步驟示意圖，其中：

圖6為一半導(dǎo)體裝置于進(jìn)行沉積制作工藝后的剖面示意圖；

圖7為一半導(dǎo)體裝置于進(jìn)行回蝕刻制作工藝后的剖面示意圖；