[實用新型]高頻模塊有效
| 申請號： | 202220145357.9 | 申請日： | 2022-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN217010853U | 公開（公告）日： | 2022-07-19 |
| 發明（設計）人： | 大前佑貴 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H04B1/40 | 分類號： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 樸云龍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高頻 模塊 | ||
1.一種高頻模塊，其特征在于，具備：
放大電路，對RF信號進行放大；
匹配電路，包含卷繞了導體的第1電感器；
偏置電路，對所述放大電路供給偏置；
控制IC，對所述偏置電路供給偏置控制信號；
第2電感器，插入到作為從所述控制IC向所述偏置電路的所述偏置控制信號的供給路徑的偏置控制線，并卷繞了導體；以及
基板，安裝所述放大電路、所述匹配電路、所述偏置電路、所述控制IC、所述第1電感器以及所述第2電感器，
所述第1電感器的導體的卷繞軸方向和所述第2電感器的導體的卷繞軸方向不同。
2.根據權利要求1所述的高頻模塊，其特征在于，
所述第1電感豁以及所述第2電感器中的至少一者是SMD。
3.根據權利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于，
所述第1電感器以及所述第2電感器中的至少一者由設置在所述基板的導體構成。
4.一種高頻模塊，其特征在于，具備：
放大電路，對RF信號進行放大；
匹配電路，包含卷繞了導體的電感器；
偏置電路，對所述放大電路供給偏置；
控制IC，對所述偏置電路供給偏置控制信號；
偏置控制線，是從所述控制IC向所述偏置電路的所述偏置控制信號的供給路徑；以及
基板，安裝所述放大電路、所述匹配電路、所述偏置電路、所述控制IC、所述電感器以及所述偏置控制線，
所述電感器的卷繞軸方向和由于在所述偏置控制線的直線部分流過電流而產生的磁場的朝向不同。
5.根據權利要求4所述的高頻模塊，其特征在于，
所述電感器是SMD。
6.根據權利要求4所述的高頻模塊，其特征在于，
所述電感器由設置在所述基板的導體構成。
7.一種高頻模塊，其特征在于，具備：
放大電路，對RF信號進行放大；
匹配電路，包含卷繞了導體的電感器；
偏置電路，對所述放大電路供給偏置；
控制IC，對所述偏置電路供給偏置控制信號；
電阻元件，插入到作為從所述控制IC向所述偏置電路的所述偏置控制信號的供給路徑的偏置控制線；以及
基板，安裝所述放大電路、所述匹配電路、所述偏置電路、所述控制IC、所述電感器以及所述電阻元件。
8.根據權利要求7所述的高頻模塊，其特征在于，
所述電感器以及所述電阻元件中的至少一者是SMD。
9.根據權利要求7或8所述的高頻模塊，其特征在于，
所述電感器以及所述電阻元件中的至少一者由設置在所述基板的導體構成。
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