[實(shí)用新型]金屬-電介質(zhì)-金屬超表面SERS基底有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202220139633.0 | 申請(qǐng)日: | 2022-01-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN217133408U | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-08-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳志斌;秦夢(mèng)澤;陳趙懿;薛明晰;王正軍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)人民解放軍32181部隊(duì) |
| 主分類號(hào): | G02B5/00 | 分類號(hào): | G02B5/00;G01N21/65 |
| 代理公司: | 石家莊國(guó)域?qū)@虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112 | 代理人: | 蘇艷肅 |
| 地址: | 050000 *** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬 電介質(zhì) 表面 sers 基底 | ||
本實(shí)用新型涉及一種金屬?電介質(zhì)?金屬超表面SERS基底。本實(shí)用新型SERS基底包括第一SiO2基層,在第一SiO2基層表面設(shè)置有貴金屬層,在貴金屬層表面設(shè)置有第二SiO2基層,在第二SiO2基層靠近貴金屬層一側(cè)的表面上設(shè)有凹槽,在凹槽的底面設(shè)置有若干貴金屬線。本實(shí)用新型金屬?電介質(zhì)?金屬超表面SERS基底的使用,使得在SERS檢測(cè)中無(wú)需待測(cè)分子精確吸附在基底表面的熱點(diǎn)區(qū)域,避免了待測(cè)分子對(duì)基底表面的“污染”,實(shí)現(xiàn)了可連續(xù)SERS檢測(cè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種表面增強(qiáng)拉曼檢測(cè)技術(shù),具體地說(shuō)是一種金屬-電介質(zhì)-金屬超表面SERS基底。
背景技術(shù)
表面增強(qiáng)拉曼散射(SurfaceEnhancedRamanScattering,SERS)檢測(cè)技術(shù)由于其高靈敏度、高精度、檢測(cè)速度快等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于食品安全、生物制藥、醫(yī)療檢查、環(huán)境保護(hù)等領(lǐng)域的痕量檢測(cè)中。當(dāng)前SERS檢測(cè)中所用的增強(qiáng)基底主要主要有兩種:?jiǎn)我唤饘偌{米顆粒溶膠,包括金納米顆粒溶膠和銀納米顆粒溶膠;納米三維陣列結(jié)構(gòu),包括球狀納米陣列結(jié)構(gòu)、柱狀納米陣列結(jié)構(gòu)、錐狀納米陣列結(jié)構(gòu)等。貴金屬納米顆粒溶膠具有成本低、制備簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),但是貴金屬納米顆粒溶膠熱點(diǎn)區(qū)域的數(shù)量在單位體積內(nèi)有限且熱點(diǎn)區(qū)域范圍較小的缺點(diǎn)。利用等離子體刻蝕和傳統(tǒng)光刻加工技術(shù)制備的納米三維陣列結(jié)構(gòu)具有很好的結(jié)構(gòu)周期性和SERS信號(hào)重現(xiàn)性,但是加工成本高昂,加工時(shí)間長(zhǎng)。這兩種SERS基底由于增強(qiáng)電場(chǎng)局限于其表面附近很小的區(qū)域,都需要待測(cè)分子精確吸附在其表面形成的熱點(diǎn)區(qū)域,導(dǎo)致基底的“污染”,無(wú)法實(shí)現(xiàn)可連續(xù)SERS檢測(cè)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的就是提供一種金屬-電介質(zhì)-金屬超表面SERS基底,以解決當(dāng)前SERS基底熱點(diǎn)區(qū)域范圍過(guò)小且局限于表面附近,待測(cè)分子需要精確吸附從而產(chǎn)生“污染”的問(wèn)題。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種金屬-電介質(zhì)-金屬超表面SERS基底,包括第一SiO2基層,在所述第一SiO2基層表面設(shè)置有貴金屬層,在所述貴金屬層表面設(shè)置有第二SiO2基層,在所述第二SiO2基層靠近所述貴金屬層一側(cè)的表面上設(shè)有凹槽,在所述凹槽的底面設(shè)置有若干貴金屬線。
在本實(shí)用新型的SERS基底中,所述凹槽的橫截面為矩形,所述凹槽底面平行于所述貴金屬層。
在本實(shí)用新型的SERS基底中,所述貴金屬線相互平行且長(zhǎng)度方向和所述凹槽的長(zhǎng)度方向一致,所述貴金屬線等距分布。
在本實(shí)用新型的SERS基底中,所述貴金屬線的橫截面為矩形。
在本實(shí)用新型的SERS基底中,所述貴金屬層是通過(guò)蒸鍍方法將金或銀等貴金屬均勻、致密的附著在第一SiO2基層表面形成的。
本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種金屬-電介質(zhì)-金屬超表面SERS基底的加工方法,包括以下步驟。
a.準(zhǔn)備表面平整的第一SiO2基層,對(duì)其表面進(jìn)行清洗并烘干。
b.通過(guò)蒸鍍方法將貴金屬均勻、致密的附著在預(yù)處理后的第一SiO2基層表面,形成連續(xù)的貴金屬層。
c.準(zhǔn)備表面平整的第二SiO2基層,對(duì)其表面進(jìn)行清洗并烘干。
d.在所述第二SiO2基層表面涂布一層光刻膠,通過(guò)烘烤得到固化的光刻膠薄膜。
e.通過(guò)紫外線曝光的方式將凹槽圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠薄膜上,然后利用反應(yīng)離子刻蝕在所述第二SiO2基層表面刻蝕得到凹槽。
f.通過(guò)蒸鍍方法將貴金屬均勻、致密的附著在所述凹槽的底面,形成連續(xù)的槽底金屬層。
g.對(duì)所述第二SiO2基層進(jìn)行除膠處理,然后重新在槽底金屬層表面涂布一層電子束光刻膠,烘烤后得到固化的光刻膠薄膜。
h.對(duì)所述第二SiO2基層上凹槽的底面進(jìn)行電子束光刻和干法刻蝕,得到貴金屬線。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)人民解放軍32181部隊(duì),未經(jīng)中國(guó)人民解放軍32181部隊(duì)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202220139633.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:AG漸變紋理裝飾性面板
- 下一篇:一種新型液壓雙頭彎管機(jī)
- 電介質(zhì)元件、壓電元件、噴墨頭和噴墨記錄裝置
- 固體電解電容器及其制造方法
- 包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
- 電介質(zhì)電極組合件及其制造方法
- 一種應(yīng)用于全光開(kāi)關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種應(yīng)用于全光開(kāi)關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 一種基于宇稱-時(shí)間對(duì)稱的全光開(kāi)關(guān)





