[實用新型]一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202220101759.9
• 申請日: 2022-01-14
• 公開（公告）號: CN216752196U
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 謝友金;湯潤超
• 申請（專利權）人: 廈門綠洋環(huán)境技術股份有限公司
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24;H05H1/26;H05H1/28;A61L2/14
• 代理公司: 福建如浩律師事務所 35223
• 代理人: 艾水華

1.一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：包括絕緣外殼、脈沖發(fā)生器組件、進線高壓接頭、出線高壓接頭、隔離套及電阻，所述絕緣外殼內設有安裝槽、進線槽及出線槽，所述安裝槽位于所述進線槽和出線槽的一側，所述安裝槽、進線槽及出線槽之間互相隔開，所述脈沖發(fā)生器組件設置于所述安裝槽中，所述進線槽和出線槽的一端分別設置有所述進線高壓接頭和出線高壓接頭，所述進線槽的另一端設置有所述隔離套，所述電阻設置于所述隔離套內。

2.如權利要求1所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述絕緣外殼包括嵌套配合在一起的下絕緣殼和上絕緣殼，所述下絕緣殼具有一開口朝上的下腔體，所述下腔體內設有下安裝槽、下進線槽及下出線槽，所述上絕緣殼具有一開口朝下的上腔體，所述上腔體內設有上安裝槽、上進線槽及上出線槽，所述下安裝槽和上安裝槽組成所述安裝槽，所述下進線槽和上進線槽嵌套配合形成所述進線槽，所述下出線槽和上出線槽嵌套配合形成所述出線槽。

3.如權利要求2所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述下進線槽的高度高于所述下出線槽的高度，所述上進線槽的高度低于所述上出線槽的高度，所述進線高壓接頭和出線高壓接頭分別設置于所述下進線槽和下出線槽中。

4.如權利要求3所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述下進線槽包括第一走線凹槽、第一凹槽及第二凹槽，所述第一走線凹槽的左右兩側分別設置有所述第一凹槽和第二凹槽，所述隔離套的下端設置于所述第一凹槽中，所述進線高壓接頭設置于所述第二凹槽中，所述下出線槽包括第二走線凹槽和第三凹槽，所述第二走線凹槽的右側設置有所述第三凹槽，所述出線高壓接頭設置于所述第三凹槽中。

5.如權利要求4所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述第一凹槽為削邊圓槽，所述第一凹槽的底部設置有放置凹槽，所述電阻安裝于所述放置凹槽中，所述隔離套的截面形狀與所述第一凹槽相適配，所述隔離套上設置有通氣孔。

6.如權利要求5所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述下進線槽的頂部凸出形成有第一凸緣，所述第一凸緣與上進線槽嵌套配合，所述下出線槽的頂部凸出形成有第二凸緣，所述第二凸緣與上出線槽嵌套配合。

7.如權利要求6所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述下絕緣殼和上絕緣殼采用注塑而成，所述下絕緣殼的內壁設置有第一臺階部，所述上絕緣殼的外壁設置有第二臺階部，所述第一臺階部與第二臺階部嵌套配合。

8.如權利要求7所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述上進線槽和上出線槽中設置有高壓進線通道，所述上進線槽包括第三走線凹槽和第四凹槽，所述隔離套的上端設置于所述第四凹槽中，所述第四凹槽為削邊圓槽，所述上安裝槽與第四凹槽之間設置有隔板，所述隔板由所述上腔體的頂部向下延伸形成。

9.如權利要求8所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述上絕緣殼的側邊設置有散熱進氣孔和散熱出氣孔，所述散熱進氣孔和散熱出氣孔與第四凹槽相通。

10.如權利要求9所述的一種低溫等離子體高壓脈沖發(fā)生器裝置，其特征在于：所述下絕緣殼的側邊設置有第一散熱孔，所述第一散熱孔與下腔體相通，所述上安裝槽的頂部設置有第二散熱孔。