[實用新型]一種用于提高單晶硅性能的永磁場設備有效
| 申請號: | 202220082362.X | 申請日: | 2022-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN216838281U | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 盧秉釗;蒙劍華;吳永博 | 申請(專利權)人: | 撫順賽瑞特環保科技有限公司 |
| 主分類號: | C30B30/04 | 分類號: | C30B30/04;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司: | 沈陽一諾君科知識產權代理事務所(普通合伙) 21266 | 代理人: | 王建男 |
| 地址: | 113000 遼寧省撫順市*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 提高 單晶硅 性能 永磁 設備 | ||
本實用新型涉及將永磁場運用到半導體硅的生產領域,一種用于提高單晶硅性能的永磁場設備,包括支腿,支腿上安裝有導磁組件;導磁組件包括磁塊、磁盒、軛板和連接組件,磁塊安裝在磁盒內,磁盒安裝在軛板主要延伸面的中心位置;連接組件包括第一導磁板和第二導磁板,第二導磁板有兩個,兩個第二導磁板第一端面的側面分別與第一導磁板的第一端面和第二端面連接,兩個第二導磁板與第一導磁板連接后的形狀為U形,兩個磁盒內的磁塊兩磁極相對,產生的磁場為異極,構成U型磁系機構。本實用新型采用永磁體做為磁源,與電磁場相比,永磁場無耗能且沒有噪音,同時具有穩定的磁場。永磁場占用面積和空間小,還具有節能環保以及不需要維護的優點。
技術領域
本實用新型涉及將永磁場運用到半導體硅的生產領域,具體領域為一種用于提高單晶硅性能的永磁場設備。
背景技術
近年來,隨著我國科技水平的快速發展,光伏、能源、大規模集成電路等行業對單晶硅材料的用量越來多,同時對硅材料的性能參數要求也越來越高。單晶硅的生產工藝也隨之快速改進,其中磁場拉晶技術取得了較好的成果。
經大量現場調研后發現,生產單晶硅時所用的磁場有許多都采用電磁場,而電磁場有著高耗能、有噪音、磁場不穩定的缺點。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種用于提高單晶硅性能的永磁場設備,永磁場無耗能且沒有噪音,同時具有穩定的磁場。
為實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種用于提高單晶硅性能的永磁場設備,包括支腿,所述支腿上安裝有導磁組件;所述導磁組件包括磁塊、磁盒、軛板和連接組件,所述磁塊安裝在磁盒內,所述軛板主要延伸面的面積大于磁盒主要延伸面的面積,所述磁盒安裝在所述軛板主要延伸面的中心位置;所述連接組件包括第一導磁板和第二導磁板,所述第二導磁板有兩個,兩個所述第二導磁板第一端面的側面分別與所述第一導磁板的第一端面和第二端面連接,兩個所述第二導磁板長度的延伸方向與所述第一導磁板長度的延伸方向垂直,兩個所述第二導磁板與所述第一導磁板連接后的形狀為U形,所述第一導磁板和兩個所述第二導磁板長度的延伸方向均平行于地面;兩個所述第二導磁板的第二端面分別與兩個所述軛板的一個端面連接,使兩個安裝在所述軛板上的所述磁盒對向放置,且所述軛板的主要延伸面垂直于地面,兩個所述磁盒內的所述磁塊兩磁極相對,產生的磁場為異極,構成U型磁系機構。
優選的,所述磁盒為矩形扁狀盒體,所述磁盒包括底板、側板、蓋板和隔板;所述磁盒的一個主要延伸面為所述底板,所述底板的一面與所述軛板的主要延伸面的中心位置連接,所述底板的另一面上設有所述側板,所述側板構成所述磁盒的側面,所述磁盒的另一個主要延伸面敞開,上面設有一個能覆蓋敞開面的所述蓋板;所述底板、所述側板和所述蓋板共同合圍成一個腔體,所述隔板安裝在所述腔體內,使所述腔體劃分出四個空間。
優選的,所述支腿有若干個,均勻分布在所述導磁組件的下方。
優選的,所述磁塊有若干個,緊密排列于所述磁盒內構成磁系。
使用本實用新型的有益效果是:
本實用新型采用永磁體做為磁源,與電磁場相比,永磁場無耗能且沒有噪音,同時具有穩定的磁場。永磁場占用面積和空間小,還具有節能環保以及不需要維護的優點。
附圖說明
圖1為本實用新型的主視結構示意圖;
圖2為本實用新型的頂視結構示意圖;
圖3為本實用新型中導磁組件的結構示意圖;
圖4為本實用新型中磁盒的結構示意圖。
附圖標記包括:
1-支腿、2-磁塊、3-磁盒、31-底板、32-側板、33-蓋板、34-隔板、4-軛板、5-第一導磁板、6-第二導磁板。
具體實施方式
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