[實用新型]具備電流沉能力的電壓產生電路及芯片有效
| 申請號： | 202220074151.1 | 申請日： | 2022-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN216596053U | 公開（公告）日： | 2022-05-24 |
| 發明（設計）人： | 吳拓 | 申請（專利權）人： | 南京金陣微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 徐秀秀 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市中國（江蘇）自由*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具備 電流 能力 電壓 產生 電路 芯片 | ||
1.一種具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于，所述具備電流沉能力的電壓產生電路包括：
電流匹配單元，包括第一電流源和第二電流源；
電流密度匹配單元，與所述電流匹配單元連接，包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一電流源與所述第一MOS管連接，所述第二電流源與所述第二MOS管連接，所述第一MOS管的柵極分別與所述第一MOS管的漏極、所述第二MOS管的柵極連接；
參考電壓單元，與所述第一MOS管連接；
輸出電壓單元，與所述第二MOS管連接。
2.根據權利要求1所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于：
所述參考電壓單元包括參考電壓調整電阻，所述參考電壓調整電阻的一端與所述第一MOS管的源極連接，另一端與地連接。
3.根據權利要求2所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于：
所述輸出電壓單元包括輸出MOS管；所述輸出MOS管的漏極與所述第二MOS管的源極連接，所述輸出MOS管的源極與地連接。
4.根據權利要求3所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于：
所述輸出MOS管的柵極分別與所述第二電流源、所述第二MOS管的漏極連接。
5.根據權利要求3所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于，所述輸出電壓單元還包括：電壓轉換器；
所述電壓轉換器分別與所述第二MOS管的漏極、所述輸出MOS管的柵極連接。
6.根據權利要求5所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于，所述電壓轉換器包括：分壓電阻、第三電流源和第四電流源；
所述輸出MOS管的柵極分別與所述分壓電阻的一端、所述第四電流源連接，所述分壓電阻的另一端與所述第三電流源連接；
所述第三電流源的輸出端與所述第二電流源匯聚至所述第二MOS管的漏極。
7.根據權利要求3所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于，所述輸出電壓單元還包括：跟隨器；
所述跟隨器分別與所述第二MOS管的漏極、所述輸出MOS管的柵極連接。
8.根據權利要求7所述的具備電流沉能力的電壓產生電路，其特征在于，所述跟隨器包括：第五電流源和跟隨器MOS管；
所述跟隨器MOS管的漏極與電源連接，柵極與所述第二MOS管的漏極連接，源極分別與所述輸出MOS管的柵極、所述第五電流源連接。
9.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括：權利要求1-8任一項所述的具備電流沉能力的電壓產生電路。
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