[實用新型]一種基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路有效
| 申請號： | 202220010326.2 | 申請日： | 2022-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN216485668U | 公開（公告）日： | 2022-05-10 |
| 發明（設計）人： | 付玉婷;葉楊威;湛紅波;鄭勇志 | 申請（專利權）人： | 武漢光迅科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/42 | 分類號： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 深圳市愛迪森知識產權代理事務所(普通合伙) 44341 | 代理人： | 何婷 |
| 地址： | 430074 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 pam4 波長 100 模塊 bias 電路 | ||
1.一種基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，包括設于直流端的第一磁珠和第二磁珠，所述第一磁珠和所述第二磁珠串聯連接，所述第一磁珠和所述第二磁珠用于提高Bias T電路的帶寬。
2.根據權利要求1所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述第一磁珠和所述第二磁珠型號相同。
3.根據權利要求2所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述第一磁珠和所述第二磁珠型號具體為BLH03HG901SN1D。
4.根據權利要求1所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，還包括設于直流端的電感，所述電感在所述第一磁珠和所述第二磁珠串聯連接后并聯連接；其中，所述電感用于防止射頻端的交流信號進入直流端。
5.根據權利要求4所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述電感型號具體為LQM18DN470M70。
6.根據權利要求5所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述電感的電感量為47μH，且精度為±20％。
7.根據權利要求4所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，還包括設于直流端的電阻，所述電阻與所述電感并聯連接；其中，所述電阻為等效電阻。
8.根據權利要求7所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述等效電阻的阻抗值為330Ω，且精度為±5％。
9.根據權利要求7所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，還包括設于射頻端的電容，所述電容在所述電阻與所述電感并聯連接后串聯連接；其中，所述電容用于對直流端的直流信號進行阻隔。
10.根據權利要求9所述的基于PAM4的單波長100G光模塊的Bias T電路，其特征在于，所述電容的容值為0.1μF，且精度為±5％。
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