[發(fā)明專利]一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211740747.1 | 申請日： | 2022-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN115954758A | 公開（公告）日： | 2023-04-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 盧勇;劉金;黃竹 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京安瞳半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/0239 | 分類號： | H01S5/0239;H01S5/0233;H01S5/02315;H01S5/024 |
| 代理公司： | 北京深川專利代理事務(wù)所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 疏亞雅 |
| 地址： | 211500 江蘇省中國(江蘇)自由貿(mào)*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 支持 功率 激光器 兼容性 coc 裝置 | ||
1.一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：包括DFB/DFB+SOA/EML半導體芯片(14)、COC、電感/電阻/ESD保護二極管、MPD和熱敏電阻(9)；
所述的COC主要包括共晶區(qū)域(6)、第一焊盤與共晶區(qū)域隔離區(qū)(7)、第二焊盤與共晶區(qū)域隔離區(qū)(5)、第一S型防溢料隔離帶(8)、第二S型防溢料隔離帶(1)、第三S型防溢料隔離帶(4)、第一附加功能鍍金區(qū)(3)、第二附加功能鍍金區(qū)(2)；
所述的共晶區(qū)域(6)可以同時兼容DFB/DFB+SOA/EML半導體芯片(14)；
所述的S型防溢料隔離帶將輔料的焊盤區(qū)與打線區(qū)隔離開；
所述的共晶區(qū)域(6)右側(cè)配置第一附加功能鍍金區(qū)(3)和第二附加功能鍍金區(qū)(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述的焊盤與共晶區(qū)域(6)隔離區(qū)除了為輔料提供焊接空間避免輔料焊接過程中損壞半導體芯片之外還增加了COCSubmount的尺寸增大了COC整體的散熱面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述第一0402的封裝ESD保護二極管(12)和第二0402的封裝ESD保護二極管(11)并聯(lián)于半導體芯片DFB+SOA的正負兩極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述半導體芯片DFB+SOA的負極串聯(lián)0402封裝濾波電感。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述DFB+SOA半導體芯片的右側(cè)置于邊吸收MPD16。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述熱敏電阻(9)置于邊吸收MPD(16)右側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種支持高功率激光器高兼容性的COC裝置，其特征在于：所述ESD保護二極管、濾波電感可根據(jù)產(chǎn)品需要換成其他同封裝結(jié)構(gòu)的器件。
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