[發明專利]一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構在審
| 申請號： | 202211740510.3 | 申請日： | 2022-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN115954344A | 公開（公告）日： | 2023-04-11 |
| 發明（設計）人： | 程鵬剛;唐磊;王忠芳;楊曉文;劉建軍;楊庚;王昕;王晨霞;黃山圃;姚軍;王健 | 申請（專利權）人： | 西安微電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 粒子 性能 碳化硅 jbs 結構 | ||
1.一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，包括陰極金屬、碳化硅N+襯底、N型緩沖層、N-外延層、P+和陽極金屬；
所述碳化硅N+襯底的下表面為陰極金屬，所述碳化硅N+襯底上依次為N型緩沖層和N-外延層，所述N型緩沖層的濃度大于N-外延層的濃度，所述N-外延層的上表面內間隔均勻分布P+，N-外延層的上表面和P+的上表面為陽極金屬。
2.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述N型緩沖層包括依次設置的第一N型緩沖層、第二N型緩沖層和第三N型緩沖層，所述第一N型緩沖層與碳化硅N+襯底相鄰，所述第三N型緩沖層與N-外延層相鄰。
3.如權利要求2所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述三層N型緩沖層的濃度由第一N型緩沖層至第三N型緩沖層呈數量級梯度降低，所述相鄰緩沖層之間的濃度相差一個數量級。
4.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述P+為倒T型，P+的底部寬度大于上部寬度。
5.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述陰極金屬為Ti、Al、Ni或Pt。
6.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述陰極金屬與碳化硅N+襯底之間形成歐姆接觸。
7.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述陽極金屬為Ni/Au、Ni/Pt或Pt/Au。
8.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述陽極金屬與P+之間形成歐姆接觸，與N-外延層之間形成肖特基接觸。
9.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述P+的摻雜濃度為1×1018～1×1020。
10.如權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS結構，其特征在于，所述P+的底部至少進行一次P+注入，P+的上部至少進行一次P+注入。
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