[發(fā)明專(zhuān)利]封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202211739013.1 | 申請(qǐng)日: | 2022-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115881653A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐健;李銖元 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 星科金朋半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈曉敏 |
| 地址: | 214437 江蘇省無(wú)錫*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明揭示了一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,封裝結(jié)構(gòu)包括相互電性連接的基板及預(yù)塑封單元,以及填充于所述基板及所述預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域內(nèi)的底部填充膠,所述預(yù)塑封單元包括芯片組件及封裝所述芯片組件的塑封體,其中,所述預(yù)塑封單元還包括貫穿所述塑封體的通孔,所述通孔連通所述填充區(qū)域。在預(yù)塑封單元內(nèi)設(shè)置貫穿塑封體的通孔,在后續(xù)底部填充膠的填充工藝中,可于該通孔處進(jìn)行底部填充膠的填充,即可縮短底部填充膠在基板和預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域內(nèi)的流動(dòng)距離,降低底部填充膠在基板和預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域形成空洞、分層等風(fēng)險(xiǎn),提高點(diǎn)膠效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-out wafer levelpackage,F(xiàn)OWLP)的封裝結(jié)構(gòu)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中。扇出型晶圓級(jí)封裝的主要優(yōu)勢(shì)為高密度集成,封裝產(chǎn)品尺寸小,產(chǎn)品性能優(yōu)越,信號(hào)傳輸頻率快等。
以2.5D芯片封裝為例,現(xiàn)有技術(shù)中的2.5D IC封裝是將至少兩顆芯片通過(guò)扇出型封裝技術(shù)集成為扇出單元,將扇出單元封裝在基板上。但是,當(dāng)扇出單元面積增加的時(shí)候,在扇出單元底部填充的過(guò)程中,扇出單元底部形成空洞及分層等風(fēng)險(xiǎn)也會(huì)隨之增加,尤其是在扇出單元底部的中間位置,這帶來(lái)了封裝結(jié)構(gòu)短路及可靠性不良等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,以降低底部填充膠在基板和預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域形成空洞的風(fēng)險(xiǎn),提高封裝結(jié)構(gòu)可靠性。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu),包括相互電性連接的基板及預(yù)塑封單元,以及填充于所述基板及所述預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域內(nèi)的底部填充膠,所述預(yù)塑封單元包括芯片組件及封裝所述芯片組件的塑封體,其中,所述預(yù)塑封單元還包括貫穿所述塑封體的通孔,所述通孔連通所述填充區(qū)域。
進(jìn)一步的,所述芯片組件包括多個(gè)芯片,多個(gè)芯片排列形成芯片陣列,所述塑封體填充于所述芯片陣列的外輪廓內(nèi)部的第一區(qū)域及所述外輪廓外部的第二區(qū)域,所述通孔位于所述第一區(qū)域。
進(jìn)一步的,所述芯片陣列的外輪廓呈規(guī)則形狀,所述通孔位于規(guī)則形狀的中心位置。
進(jìn)一步的,所述芯片陣列的外輪廓呈立方體結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述通孔與所述芯片間隔分布。
進(jìn)一步的,所述多個(gè)芯片的尺寸均相同,或者,所述多個(gè)芯片的至少部分尺寸不同。
進(jìn)一步的,所述預(yù)塑封單元包括兩個(gè)及以上數(shù)量的多個(gè)芯片及一個(gè)通孔,所述第一區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)芯片之間的區(qū)域,所述通孔位于所述第一區(qū)域內(nèi)。
進(jìn)一步的,所述預(yù)塑封單元包括兩個(gè)及以上數(shù)量的多個(gè)芯片及多個(gè)通孔,所述第一區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)芯片之間的區(qū)域,所述多個(gè)通孔間隔分布于所述第一區(qū)域內(nèi)。
進(jìn)一步的,所述多個(gè)通孔的尺寸均相同,或者,所述多個(gè)通孔的至少部分尺寸不同。
進(jìn)一步的,所述底部填充膠填充至少部分所述通孔。
進(jìn)一步的,所述芯片組件包括相互電性連接的芯片及再布線(xiàn)層,所述再布線(xiàn)層遠(yuǎn)離所述芯片的一端通過(guò)導(dǎo)電連接件與所述基板電性連接。
本發(fā)明提供一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,包括:
于預(yù)塑封單元上形成通孔,所述通孔貫穿所述預(yù)塑封單元中的塑封體;
電性連接基板及所述預(yù)塑封單元;
于所述通孔內(nèi)注入底部填充膠,所述底部填充膠延伸至所述基板及所述預(yù)塑封單元之間的填充區(qū)域內(nèi)。
進(jìn)一步的,于預(yù)塑封單元上形成通孔,具體包括:
利用激光工藝,于所述塑封體內(nèi)制作形成所述通孔。
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