[發明專利]一種提高抗單粒子性能的埋P+SiCJBS結構

在審

• 申請號: 202211736852.8
• 申請日: 2022-12-30
• 公開（公告）號: CN116314143A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 程鵬剛;唐磊;王晨霞;王忠芳;劉建軍;胡長青;楊曉文;侯斌;李照;王健
• 申請（專利權）人: 西安微電子技術研究所
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L29/872
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 崔方方

1.一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，包括陰極金屬、陽極金屬、SiC?N+襯底、N型緩沖層、N-外延層、P+埋層和JBS接觸P+，所述SiC?N+襯底的上方設置N型緩沖層和N-外延層，所述N-外延層的上方連接JBS接觸P+，其中，所述JBS接觸P+設置在陰極金屬和N-外延層之間，所述N-外延層和SiC?N+襯底之間設置N型緩沖層，所述SiC?N+襯底的下方設置陰極金屬，所述JBS接觸P+的上方連接設置陽極金屬，所述N-外延層和JBS接觸P+之間設置P+埋層。

2.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，所述JBS接觸P+設置多個。

3.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，所述緩沖層設置有多層。

4.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，多層緩沖層的設置按照濃度梯度依次設置，最靠近SiC?N+襯底的緩沖層濃度最濃，最靠近N-外延層的緩沖層濃度大于N-外延層濃度。

5.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能埋P+的SiC?JBS結構，其特征在于，相鄰緩沖層之間濃度相差約一個數量級。

6.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，所述N-外延層的濃度和厚度根據器件的擊穿電壓的高低確定。

7.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，所述P+埋層的濃度根據上方相鄰設置兩個P+埋層的間距、P+埋層和JBS接觸P+的距離確定。

8.根據權利要求1所述的一種提高抗單粒子性能的埋P+SiC?JBS結構，其特征在于，所述JBS接觸P+的濃度由相連陽極金屬的類型確定。