[發明專利]一種MMIC限幅器芯片失效分析方法

在審

• 申請號: 202211736147.8
• 申請日: 2022-12-30
• 公開（公告）號: CN115856581A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 郭藝玲;郭志清;李贛湘
• 申請（專利權）人: 湖南芯引向科技有限責任公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R31/27;G01R31/26;G01N23/2251
• 代理公司: 長沙國科天河知識產權代理有限公司 43225
• 代理人: 彭小蘭

1.一種MMIC限幅器芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：

解析預先設置的失效分析任務，得到經高功率微波作用后的待分析MMIC限幅器芯片；所述待分析MMIC限幅器芯片包括多個PIN二極管以及無源元件；所述無源元件包括平面螺旋電感、重疊式電容、功分器、金屬化過孔和接地；

采用電子顯微鏡掃描所述待分析MMIC限幅器芯片，得到所述待分析MMIC限幅器芯片的電路形貌，根據所述電路形貌判斷待分析MMIC限幅器芯片集成電路上無源元件是否存在損傷，得到所述無源元件損傷結果；

根據所述待分析MMIC限幅器芯片的集成電路結構，對所述待分析MMIC限幅器芯片進行區域分割，將PIN二極管與其他元件及連接線分離，得到多個測試單元；

獲取每一測試單元上的PIN二極管的I-V曲線，根據所述I-V曲線和所述PIN二極管在正常狀態下的I-V曲線，判斷PIN二極管是否存在損傷，得到有源元件損傷結果；

根據所述無源元件損傷結果和所述有源元件損傷結果，對所述待分析MMIC限幅器芯片進行失效分析。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據所述無源元件損傷結果和所述有源元件損傷結果，對所述待分析MMIC限幅器芯片進行失效分析的步驟，包括：

當所述無源元件損傷結果為存在損傷無源元件時，根據所述損傷無源元件在待分析MMIC限幅器芯片集成電路上的位置，得到無源元件損傷點；

當所述有源元件損傷結果為存在損傷PIN二極管時，根據所述損傷PIN二極管在待分析MMIC限幅器芯片集成電路上的位置，得到有源元件損傷點；

根據所述無源元件損傷點和所述有源元件損傷點確定所述待分析MMIC限幅器芯片的損傷點。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取每一測試單元上的PIN二極管的I-V曲線，根據所述I-V曲線和所述PIN二極管在正常狀態下的I-V曲線，判斷PIN二極管是否存在損傷，得到有源元件損傷結果的步驟，包括：

根據所述待分析MMIC限幅器芯片的電路結構，確定每一測試單元對應的探針點；

利用半導體分析儀接入每一測試單元兩端的所述探針點進行I-V曲線測試，得到每一測試單元對應的I-V曲線測試結果；

根據每一測試單元對應的I-V曲線測試結果判斷損傷區域所屬的測試單元；

當所述損傷區域所屬的測試單元至少包括兩個PIN二極管時，對所述測試單元進行分割，獲取區域分割后的每一PIN二極管的I-V曲線，根據所述I-V曲線和每一PIN二極管在正常狀態下的I-V曲線，判斷PIN二極管是否存在損傷，得到有源元件損傷結果。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，對所述測試單元進行分割，獲取區域分割后的每一PIN二極管的I-V曲線的步驟，包括：

根據所述損傷區域所屬的測試單元的電路結構，確定所述測試單元上每一PIN二極管對應的探針點；

利用半導體分析儀接入區域分割后的PIN二極管兩端的探針點進行I-V曲線測試，得到每一所述PIN二極管的I-V曲線。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述待分析MMIC限幅器芯片的集成電路結構，對所述待分析MMIC限幅器芯片進行區域分割，將PIN二極管與其他元件及連接線分離，得到多個測試單元包括：

根據所述待分析MMIC限幅器芯片的制造工藝確定所述多個PIN二極管在待分析MMIC限幅器芯片中的位置；

根據所述多個PIN二極管在待分析MMIC限幅器芯片中的位置，對所述待分析MMIC限幅器芯片進行區域分割，得到多個測試單元。

6.根據權利要求3或4任一項所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對所述待測MMIC限幅器芯片的工藝進行分析，查找金屬層的分布位置，將探針點設置在金屬層，并設置于被測PIN二極管兩端，以避免其他損傷元件對測試結果造成影響。