[發明專利]一種適用于電力超長距光傳輸的單模光纖

在審

• 申請號: 202211724366.4
• 申請日: 2022-12-30
• 公開（公告）號: CN115963596A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 吳廣哲;李伯中;王穎;鄧黎;盧賀;劉源;楊悅;馬超;王喬木;李燦;李揚;吳俊;張立巖;周紅燕
• 申請（專利權）人: 國家電網有限公司信息通信分公司;長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，包括芯層和包層，所述的芯層從中心向外包括下陷芯層和外芯層，所述的下陷芯層半徑R₁為3～5μm，相對折射率差Δn₁為-0.08％～0.025％，所述的外芯層半徑R₂為5.5～8.0μm，相對折射率差Δn₂為-0.07％～0.11％，所述的包層從內到外包括內包層、下陷內包層、輔助外包層和外包層，所述的內包層半徑R₃為8.5～15.5μm，相對折射率差Δn₃為-0.25％～-0.16％，所述的下陷內包層半徑R₄為16～20μm，相對折射率差Δn₄為-0.2％～-0.55％，所述的輔助內包層半徑R₅為37～52μm，相對折射率差Δn₅為-0.13％～-0.06％，所述的外包層為純二氧化硅玻璃層，最外層直徑為125μm。

2.按權利要求1所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于下陷芯層和外芯層為氯摻雜二氧化硅玻璃層，或為氟摻雜二氧化硅玻璃層或為氯氟共摻雜二氧化硅玻璃層，且氯的含量為0.6～1.0ppm％。

3.按權利要求2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述的下陷芯層中氟摻雜對相對折射率的貢獻為-0.1％～-0.04％，外芯層中氟摻雜對相對折射率的貢獻為-0.05％～0.05％。

4.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述的外芯層相對折射率差Δn₁與下陷芯層相對折射率差Δn₂的相差值的絕對值大于或等于0.05％，即|Δn₁-Δn₂|≥0.05％。

5.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的有效面積為115～160μm²；所述光纖的成纜截止波長小于或等于1530nm。

6.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的色散系數為17～23ps/(nm·km)，所述光纖在波長1550nm處的色散斜率為0.05～0.07ps/(nm²·km)，所述光纖在波長1625nm處的色散小于或等于27ps/(nm·km)。

7.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1550nm處的衰減小于或等于0.174dB/km；所述光纖在波長1625nm處的衰減小于或等于0.194dB/km。

8.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述光纖在波長1700nm處的微彎損耗小于或等于5dB/km。

9.按權利要求1或2所述的適用于電力超長距光傳輸的單模光纖，其特征在于所述光纖以30mm半徑彎曲100圈，在波長1550nm和1625nm處的宏彎損耗小于或等于0.05dB。