[發明專利]一種X射線探測器及其功能單元和制備方法在審
| 申請號： | 202211723721.6 | 申請日： | 2022-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN115988936A | 公開（公告）日： | 2023-04-18 |
| 發明（設計）人： | 唐江;牛廣達;宋子豪 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學鄂州工業技術研究院;華中科技大學 |
| 主分類號： | H10K71/00 | 分類號： | H10K71/00;H10K71/12;H10K30/40 |
| 代理公司： | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570 | 代理人： | 韋漢 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射線 探測器 及其 功能 單元 制備 方法 | ||
1.一種功能單元的制備方法，其特征在于，所述方法包括：
對電路基底的表面進行改性，以使鈣鈦礦在所述電路基底表面的成核勢壘小于鈣鈦礦在溶液中的三維成核勢壘，得到改性電路基底；
在所述改性電路基底表面生長鈣鈦礦晶體，得到功能單元。
2.根據權利要求1所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述對電路基底的表面進行改性，以使鈣鈦礦在所述電路基底表面的成核勢壘小于鈣鈦礦在溶液中的三維成核勢壘，得到改性電路基底，具體包括：
在所述電路基底表面形成改性層，以使鈣鈦礦在所述電路基底表面的成核勢壘小于鈣鈦礦在溶液中的三維成核勢壘，得到改性電路基底。
3.根據權利要求2所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述形成改性層的方式包括：在所述電路基底表面涂覆改性材料，后進行退火；和/或
所述形成改性層的方式包括：把所述電路基底浸泡于改性材料；和/或
所述改性材料具有疏水性；和/或
所述改性材料具有和鈣鈦礦配位的能力。
4.根據權利要求3所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述改性材料包括PTAA和APTES中的至少一種。
5.根據權利要求2所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述退火的溫度為90-110℃；和/或
所述退火的時間為5-15min。
6.根據權利要求1所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述在所述改性電路基底表面生長鈣鈦礦晶體，得到功能單元，具體包括：
把所述改性電路基底浸泡于鈣鈦礦長晶溶液，以在所述改性電路基底表面生長鈣鈦礦晶體，得到功能單元。
7.根據權利要求1所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述鈣鈦礦長晶溶液的成分包括鈣鈦礦中的至少一種；所述鈣鈦礦的化學式為：ABX3，其中，A為Cs+、MA+或FA+，B為Pb2+或Sn2+，X為Cl-、Br-或I-。
8.根據權利要求1所述的功能單元的制備方法，其特征在于，所述生長鈣鈦礦晶體中鈣鈦礦長晶溶液的溫度為45-55℃；和/或
所述生長鈣鈦礦晶體中鈣鈦礦長晶溶液的升溫速率為0.5-1.5℃/h。
9.一種功能單元，其特征在于，所述功能單元采用權利要求1至8中任一項所述的功能單元的制備方法制得。
10.一種X射線探測器，其特征在于，所述X射線探測器包括權利要求9所述的功能單元。
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