[發(fā)明專(zhuān)利]寬波段PbS量子點(diǎn)基光電探測(cè)器及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211705421.5
• 申請(qǐng)日: 2022-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116190486A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 唐利斌;余黎靜;田品;郝群;鐘和甫;左文彬;蘇潤(rùn)紅;李志華;楊敏;馬啟;余連杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆明物理研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/109
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/109;H01L31/18;H01L31/0336
• 代理公司: 昆明祥和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 53114
• 代理人: 和琳

1.寬波段PbS量子點(diǎn)基光電探測(cè)器，為垂直型多層結(jié)構(gòu)，其特征在于探測(cè)器從下至上，分別為襯底、Bi₂Te₃薄膜、PbS量子點(diǎn)光敏層、Al電極。

2.如權(quán)利要求1所述的寬波段PbS量子點(diǎn)基光電探測(cè)器，其特征在于所述襯底為硅、金剛石、藍(lán)寶石或石英。

3.如權(quán)利要求1所述的寬波段PbS量子點(diǎn)基光電探測(cè)器，其特征在于所述Al電極是叉指電極。

4.寬波段PbS量子點(diǎn)基光電探測(cè)器制備方法，其特征在于制備方法包括以下步驟：

步驟1，襯底清洗；

步驟2，在襯底上磁控濺射一層Bi₂Te₃薄膜，濺射在室溫下進(jìn)行，濺射功率為130-220W、Ar流量為60-100sccm，濺射壓強(qiáng)為3-10Pa，濺射時(shí)間1-10s；

步驟3，把濺射好的Bi₂Te₃薄膜放入快速退火爐中進(jìn)行快速退火處理，退火溫度為200-400℃，退火時(shí)間為5-20min，退火在保護(hù)氣體Ar或是N₂的氛圍下進(jìn)行；

步驟4，在退火后，Bi₂Te₃薄膜上旋涂PbS量子點(diǎn)光敏層，旋涂機(jī)轉(zhuǎn)速為1000-2500轉(zhuǎn)/秒，旋涂PbS量子點(diǎn)的層數(shù)為5-10層；

所述PbS量子點(diǎn)溶于正辛烷中，濃度為10?-50?mg/mL；每旋涂完一層量子點(diǎn)，進(jìn)行TBAI配體交換，交換時(shí)間為30-60s，交換完后用甲醇進(jìn)行清洗；

步驟5，在PbS量子點(diǎn)光敏層上，通過(guò)用金屬掩膜后，使用物理氣相沉積法蒸鍍涂Al電極，蒸鍍時(shí)間為2-10min，構(gòu)筑完成探測(cè)器。