[發明專利]能級調控PbS量子點光電探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 202211705410.7
• 申請日: 2022-12-29
• 公開（公告）號: CN116190485A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 余黎靜;唐利斌;田品;郝群;鐘和甫;左文彬;雷曉虹;鄧功榮;王靜宇;黃俊博;馮江敏;袁俊;龔曉霞;施靜梅
• 申請（專利權）人: 昆明物理研究所
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/0336;H01L31/0224
• 代理公司: 昆明祥和知識產權代理有限公司 53114
• 代理人: 和琳

1.能級調控PbS量子點光電探測器，為垂直型多層結構，其特征在于從下至上，分別為襯底、ITO或FTO電極、AZO功能層、PbS量子點光敏層、Bi₂Te₃薄膜和Al電極。

2.如權利要求1所述的能級調控PbS量子點光電探測器，其特征在于所述襯底為金剛石、藍寶石或石英。

3.如權利要求1所述的能級調控PbS量子點光電探測器，其特征在于所述PbS量子點的尺寸為3?nm。

4.能級調控PbS量子點光電探測器的制備方法，其特征在于制備方法包括以下步驟：

步驟1，清洗已在表面制備ITO或FTO透明電極的透明襯底；

步驟2，在已制備ITO或FTO透明電極的透明襯底上磁控濺射一層AZO薄膜，濺射在室溫下進行，濺射功率為140-220W、Ar流量為60-100sccm，濺射壓強為3-10Pa，濺射時間20-100min；

步驟3，在濺射完AZO的襯底上，旋涂PbS量子點，旋涂轉速為2000-2500?rpm，旋涂時間為20-40s；旋涂PbS量子點5-10層；

其中，PbS量子點的溶劑為正辛烷或正己烷，濃度為10?-50?mg/mL，每旋涂完一層量子點，進行TBAI配體交換，交換時間為30-60s，交換完后用甲醇進行清洗；

步驟4，在PbS量子點薄膜上磁控濺射一層Bi₂Te₃薄膜，濺射在室溫下進行，濺射功率為150-200W、Ar流量為60-100sccm，濺射壓強為3-10Pa，濺射時間1-5s；

步驟5，Bi₂Te₃薄膜上鍍膜生長一層Al電極，使用物理氣相沉積法鍍涂Al電極，蒸鍍時間為2-10min，構筑完成探測器。