[發明專利]顯示基板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202211675576.9 | 申請日: | 2022-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN116110909A | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 何帆;王琦偉;顏俊;仝可蒙;蔡文哲;董向丹 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/33;G09G3/3225;H10K59/12;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 崔姬玉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:襯底基板,以及設置于所述襯底基板上的顯示區域和周邊區域;所述顯示區域包括相對設置的第一顯示區和第二顯示區;所述周邊區域包括凹槽區,所述凹槽區的至少部分位于所述第一顯示區和所述第二顯示區之間;所述顯示基板還包括:
掃描線,所述掃描線包括第一掃描部分,第二掃描部分和補償掃描部分,所述第一掃描部分位于所述第一顯示區,所述第二掃描部分位于所述第二顯示區,所述補償掃描部分的至少部分位于所述凹槽區,所述補償掃描部分分別與所述第一掃描部分和所述第二掃描部分耦接;
周邊電源線,所述周邊電源線位于所述周邊區域;
所述補償掃描部分在所述襯底基板上的正投影,與所述周邊電源線在所述襯底基板上的正投影至少部分交疊。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示區域包括多個子像素,所述子像素包括相耦接的子像素驅動電路和發光元件,所述子像素驅動電路包括驅動晶體管和補償晶體管,所述補償晶體管的第一極與所述驅動晶體管的第二極耦接,所述補償晶體管的第二極與所述驅動晶體管的柵極耦接;
所述掃描線包括柵線,所述柵線與對應的子像素驅動電路中的所述補償晶體管的柵極耦接。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述子像素驅動電路包括復位晶體管,所述復位晶體管的第一極與初始化信號輸入端耦接,所述復位晶體管的第二極與所述驅動晶體管的柵極耦接;
所述掃描線還包括復位信號線,所述復位信號線與對應的子像素驅動電路中的所述復位晶體管的柵極耦接。
4.根據權利要求2或3所述的顯示基板,其特征在于,所述子像素驅動電路還包括發光控制晶體管,所述發光控制晶體管的第一極與所述驅動晶體管的第二極耦接,所述發光控制晶體管的第二極與對應的發光元件耦接;
所述掃描線還包括發光控制信號線,所述發光控制信號線與對應的子像素驅動電路中的發光控制晶體管的柵極耦接。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述補償掃描部分與所述第一掃描部分和所述第二掃描部分均同層設置;或者,所述補償掃描部分與所述第一掃描部分和所述第二掃描部分異層設置。
6.根據權利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述補償掃描部分通過導電連接部與所述第一掃描部分和所述第二掃描部分耦接;
顯示基板還包括靜電釋放電路,所述靜電釋放電路的至少部分位于所述凹槽區,所述靜電釋放電路包括高電平信號線和低電平信號線,所述導電連接部在所述襯底基板上的正投影,分別與所述高電平信號線在所述襯底基板上的正投影和所述低電平信號線在所述襯底基板上的正投影至少部分交疊。
7.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括均位于所述周邊區域的第一部分柵極驅動電路和第二部分柵極驅動電路,所述凹槽區位于所述第一部分柵極驅動電路和所述第二部分柵極驅動電路之間;
所述顯示基板還包括柵極驅動信號線,所述柵極驅動信號線包括第一柵極驅動部分,第二柵極驅動部分和補償驅動部分,所述第一柵極驅動部分與所述第一部分柵極驅動電路耦接,所述第二柵極驅動部分與所述第二部分柵極驅動電路耦接,所述補償驅動部分分別與所述第一柵極驅動部分和所述第二柵極驅動部分耦接。
8.根據權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述補償驅動部分的至少部分位于所述凹槽區,所述補償驅動部分在所述襯底基板上的正投影,與所述周邊電源線在所述襯底基板上的正投影至少部分交疊。
9.根據權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,所述補償掃描部分在所述襯底基板上的正投影,位于所述顯示區域和所述補償驅動部分在所述襯底基板上的正投影之間。
10.根據權利要求7~9中任一項所述的顯示基板,其特征在于,所述柵極驅動信號線包括正相時鐘信號線和反相時鐘信號線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





