[發(fā)明專利]一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211673991.0 | 申請日: | 2022-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN115952716A | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳喆;周亞龍;黃濤;呂家樂;王章軒;陳斌;韓超;季杭為;劉驍繁;蘇嘉彬;梁沛 | 申請(專利權(quán))人: | 國網(wǎng)江蘇省電力有限公司建設分公司;中國能源建設集團江蘇省電力設計院有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/23 | 分類號: | G06F30/23;G06F30/13 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
| 地址: | 210011 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 戶內(nèi) 空心 電抗 屏蔽 參數(shù) 優(yōu)化 方法 | ||
1.一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述方法包括:
根據(jù)預構(gòu)建的戶內(nèi)變電站有限元仿真模型,基于有限元分析法計算戶內(nèi)空心電抗器的磁場感應強度;
根據(jù)待優(yōu)化參數(shù)對所述磁場感應強度分布的影響,將各待優(yōu)化參數(shù)劃分為強關(guān)聯(lián)參數(shù)組和獨立參數(shù)組;
使用響應面法優(yōu)化對強關(guān)聯(lián)參數(shù)組進行優(yōu)化得到屏蔽板參數(shù)值y,使用單參數(shù)掃描法對獨立參數(shù)組進行優(yōu)化得到屏蔽板參數(shù)值z;
將屏蔽板參數(shù)值y和參數(shù)值z輸入至預構(gòu)建的優(yōu)化目標函數(shù),將符合優(yōu)化目標和磁場感應環(huán)境要求的屏蔽板參數(shù)值y和參數(shù)值z輸出為屏蔽板最優(yōu)參數(shù)值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述優(yōu)化目標函數(shù)的表達式如下:
其中,SE0表示優(yōu)化前屏蔽板的磁場屏蔽效能;T0表示優(yōu)化前屏蔽板的平均溫度、V0表示優(yōu)化前屏蔽板的體積;fSE(xi)為結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)xi取某定值時屏蔽板的效能;fT(xi)為結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)xi取某定值時屏蔽板的溫度;fV(xi)為結(jié)構(gòu)尺寸參數(shù)xi取某定值時屏蔽板的體積;λ1、λ2、λ3為權(quán)重系數(shù),其數(shù)值表示優(yōu)化目標的優(yōu)先級程度;H1為無屏蔽時的磁場強度;H2為有屏蔽時的磁場強度;l表示屏蔽板的長度、d表示屏蔽板的寬度、t表示屏蔽板的厚度;所述多目標優(yōu)化函數(shù)取最小值f(xi)min時,優(yōu)化效果達到最佳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述待優(yōu)化參數(shù)包括屏蔽板的材料、厚度、拼接縫隙寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述戶內(nèi)空心電抗器的磁場感應強度B通過下述公式計算獲取:
式中,z表示柱坐標系下磁場的軸向坐標;r表示柱坐標系下磁場的半徑;r0表示電抗器磁場感應強度的徑向分量;z0表示電抗器磁場感應強度的軸向分量;A為空氣域及電抗器內(nèi)部絕緣材料的矢量磁位,所述電抗器磁場感應強度B的限值為500μT。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述強關(guān)聯(lián)參數(shù)組包括屏蔽板的厚度以及拼接縫隙寬度;所述獨立參數(shù)組包括屏蔽板的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,所述屏蔽板參數(shù)值y采用下述公式計算獲取:
式中,β0表示常數(shù)項,βi表示一階系數(shù),βii表示二階系數(shù),βij表示二階交互項系數(shù),ε表示誤差常量,xi為屏蔽板的厚度,xj為屏蔽板拼接縫隙寬度,k表示屏蔽板待優(yōu)化參數(shù)的數(shù)量,i=1,2,…,k。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種戶內(nèi)空心電抗器屏蔽板參數(shù)的優(yōu)化方法,其特征在于,使用單參數(shù)掃描法對獨立參數(shù)組進行優(yōu)化得到屏蔽板參數(shù)值z,包括:
在設定的自由參數(shù)范圍內(nèi),根據(jù)獨立參數(shù)組的所有可能情況逐一掃描驗證并獲得各待優(yōu)化參數(shù)的數(shù)值,直到所有的情況驗證完畢;
根據(jù)待優(yōu)化參數(shù)的數(shù)值變化趨勢,選取收斂于所逼近的極值,得到屏蔽板參數(shù)值z。
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