[發明專利]用于使用間隔件上間隔件設計實現半導體裝置中的焊料接頭可靠性改進的方法和設備

在審

• 申請號: 202211657335.1
• 申請日: 2022-12-22
• 公開（公告）號: CN116344523A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 車法興;黃宏遠;王堯傳;于薇;潘玲;卜琳
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 江泰維

1.一種半導體封裝組合件，其包括：

襯底；

裸片堆疊，其包含至少一底部裸片；

惰性頂部間隔件，其不包括任何電路且具有頂部及底部表面，所述惰性頂部間隔件的所述頂部表面直接附接到所述裸片堆疊的底部表面，所述惰性頂部間隔件具有第一覆蓋區；以及

第一惰性底部間隔件，其不包括任何電路且具有頂部及底部表面，所述第一惰性底部間隔件的所述頂部表面直接附接到所述惰性頂部間隔件的所述底部表面且所述第一惰性底部間隔件的所述底部表面直接附接到所述襯底，所述第一惰性底部間隔件具有小于所述第一覆蓋區且完全定位在所述第一覆蓋區內的第二覆蓋區。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其進一步包括安裝于所述惰性頂部間隔件的所述底部表面和所述襯底之間的不包括任何電路的第二惰性底部間隔件，所述第二惰性底部間隔件具有小于所述第一覆蓋區的第三覆蓋區，所述第三覆蓋區完全定位在所述第一覆蓋區內，且與所述第二覆蓋區不重疊。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝組合件，其中所述第一和第二惰性底部間隔件具有大體上相等的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其中所述惰性頂部間隔件的外邊緣橫向地定位成距所述底部裸片的外邊緣第一距離，且所述第一惰性底部間隔件橫向地定位成距所述底部裸片的所述外邊緣第二距離，其中所述第二距離大于所述第一距離。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其中所述第一惰性底部間隔件定位在所述惰性頂部間隔件的至少兩個外邊緣內部。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其進一步包括不包括任何電路的至少兩個額外惰性底部間隔件，所述至少兩個額外惰性底部間隔件具有頂部及底部表面，所述至少兩個額外惰性底部間隔件的所述頂部表面直接附接到所述惰性頂部間隔件的所述底部表面，且所述至少兩個額外惰性底部間隔件的所述底部表面直接附接到所述襯底，所述至少兩個額外惰性底部間隔件彼此橫向間隔開。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝組合件，其中所述至少兩個額外惰性底部間隔件進一步定位在所述惰性頂部間隔件的所述第一覆蓋區的至少一個外邊緣內部。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其進一步包括包覆所述裸片堆疊的模制材料，所述模制材料在所述裸片堆疊的所述底部表面的暴露區和所述襯底之間延伸，所述模制材料進一步在所述惰性頂部間隔件的所述底部表面和所述襯底之間的暴露區域的至少一部分之間延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝組合件，其進一步包括：

第二裸片堆疊或組件，其安裝在所述襯底上；以及

模制材料，其包覆所述裸片堆疊和所述第二裸片堆疊或組件。

10.一種用于形成半導體封裝的方法，其包括：

將第一惰性底部間隔件的底部表面直接附接到襯底；

將惰性頂部間隔件的底部表面直接附接到所述第一惰性底部間隔件的頂部表面，其中所述惰性頂部間隔件的第一覆蓋區大于所述第一惰性底部間隔件的第二覆蓋區，其中所述惰性頂部間隔件的所述底部表面定位成距所述襯底某一距離，使得所述惰性頂部間隔件的所述底部表面不接觸所述襯底，其中所述第一惰性底部間隔件和所述惰性頂部間隔件不包括任何電路；以及

將裸片的底部表面直接附接到所述惰性頂部間隔件的頂部表面。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在所述惰性頂部間隔件的所述底部表面和所述襯底之間直接附接第二惰性底部間隔件，其中所述第二惰性底部間隔件與所述第一惰性底部間隔件分離。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述第一和第二惰性底部間隔件完全定位在所述惰性頂部間隔件的所述第一覆蓋區內。