[發(fā)明專利]一種液態(tài)模封膠及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211644193.5
• 申請日: 2022-12-20
• 公開（公告）號: CN115772374B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發(fā)明（設計）人: 伍得;王圣權(quán);廖述杭;蘇峻興
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢市三選科技有限公司
• 主分類號: C09J163/00
• 分類號: C09J163/00;C09J183/04;C09J183/07;C09J11/04
• 代理公司: 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570
• 代理人: 韋漢

本申請涉及一種液態(tài)模封膠及其制備方法，屬于電子芯片保護材料技術(shù)領(lǐng)域，以質(zhì)量份數(shù)計，所述液態(tài)模封膠包括以下組分：環(huán)氧樹脂5份～8份；固化劑5份～8份；填充劑83份～90份；應力釋放劑1份～3份；稀釋劑0.5份～1份；促進劑0.3份～0.5份；助劑。該液態(tài)模封膠通過各組分原料間的相互協(xié)同作用，既在保證優(yōu)異儲能模量的前提下，同時大大降低了液態(tài)模封膠的翹曲度，有效避免了因液態(tài)模封膠翹曲過大會導致芯片應力太強，受到外力撞擊時發(fā)生破裂，損壞芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及電子芯片保護材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液態(tài)模封膠及其制備方法。

背景技術(shù)

半導體領(lǐng)域中，硅芯片邊緣保護技術(shù)廣泛被應用于先進封裝制造流程，特別是在硅芯片金屬電鍍相關(guān)的光刻工序中，如BUMP(凸塊工藝)、RDL(重布線層技術(shù))等光刻關(guān)鍵工序中，均需使用硅芯片邊緣保護技術(shù)。

伴隨著半導體產(chǎn)品的高度集成化、高密度貼裝的要求，各類集成電路的精密化程度越來越高，并且引腳數(shù)也在不斷增加。在以往的四邊扁平封裝。但目前的液態(tài)模封膠存在翹曲度高的問題，翹曲過大會導致芯片應力太強，受到外力撞擊時發(fā)生破裂，損壞芯片。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环N液態(tài)模封膠及其制備方法，以解決現(xiàn)有液態(tài)模封膠存在翹曲度高的技術(shù)問題。

第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N液態(tài)模封膠，以質(zhì)量份數(shù)計，所述液態(tài)模封膠包括以下組分：

環(huán)氧樹脂5份～8份；固化劑5份～8份；填充劑83份～90份；應力釋放劑1份～3份；稀釋劑0.5份～1份；促進劑0.3份～0.5份；助劑。

進一步地，所述應力釋放劑為聚二甲基硅氧烷/乙烯基聚二甲基硅氧烷交聯(lián)聚合物。

進一步地，所述環(huán)氧樹脂為萘型環(huán)氧樹脂。

進一步地，所述萘型環(huán)氧樹脂包括式(I)所示化合物和式(II)所示化合物和2,2'-[1,6-亞萘基二(氧亞甲基)]二環(huán)氧乙烷中的至少一種；

所述式(I)所示化合物的結(jié)構(gòu)式為：

所述式(II)所示化合物的結(jié)構(gòu)式為：

進一步地，所述固化劑為酸酐類固化劑。

進一步地，所述稀釋劑為縮水甘油醚類稀釋劑。

進一步地，所述促進劑為胺類促進劑。

進一步地，所述填充劑為二氧化硅。

進一步地，所述助劑包括染色劑。

第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环N液態(tài)模封膠的制備方法，所述方法包括：

將各組分原料進行混合，得到第一混合物；

將所述第一混合物進行分散，得到第二混合物；

將所述第二混合物進行脫泡，得到液態(tài)模封膠。

本申請實施例提供的上述技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點：

本申請實施例了一種液態(tài)模封膠，該液態(tài)模封膠通過各組分原料間的相互協(xié)同作用，既在保證優(yōu)異儲能模量的前提下，同時大大降低了液態(tài)模封膠的翹曲度。各成分間協(xié)同作用的具體過程包括：環(huán)氧樹脂與固化劑反應后體積會收縮，與之粘連的待封裝芯片也會隨之產(chǎn)生形變，向材料收縮的方向彎曲，形成了翹曲；但通過應力釋放劑與如環(huán)氧樹脂形成的高分子化合物及填充劑的整個體系之間形成海島結(jié)構(gòu)，應力釋放劑自身有較強韌性，比整個體系更容易生成形變，當有應力時可由應力釋放劑本身的形變消除應力，從而削弱整個體系的形變，達到降低翹曲的作用。

附圖說明