[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211641335.2
• 申請日: 2022-12-20
• 公開（公告）號: CN116313894A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黑野泰友;岸本克史
• 申請（專利權(quán)）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 劉楊

1.一種基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置具備：

腔室；

基板保持部，在所述腔室的內(nèi)部空間中保持具有膜的基板；

加熱器，對所述膜進行加熱，以對所述膜進行熱處理；

氣體分析計，具有與所述內(nèi)部空間連通的氣體采樣部，并對所述內(nèi)部空間的特定氣體進行檢測；

氣流形成部，包括供給部，所述供給部向所述內(nèi)部空間供給非活性氣體，以形成沿著所述基板的表面流動并到達所述氣體采樣部的所述非活性氣體的氣流；以及

控制器，基于所述氣體分析計的輸出來判定所述膜的熱處理的結(jié)束。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述供給部包括至少一個供給噴嘴，通過所述至少一個供給噴嘴向所述內(nèi)部空間供給所述非活性氣體，

通過所述至少一個供給噴嘴供給到所述內(nèi)部空間的所述非活性氣體沿著所述基板的所述表面流動。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣流形成部包括從所述內(nèi)部空間排出所述非活性氣體的排出口，

所述排出口被配置成與由所述基板保持部保持的所述基板的中央部相向。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述排出口的軸向沿著由所述基板保持部保持的所述基板的所述表面的法線方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣體采樣部配置在所述排出口的附近。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣體采樣部被配置成與由所述基板保持部保持的所述基板相向。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣體采樣部的軸向沿著由所述基板保持部保持的所述基板的所述表面的法線方向。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣體采樣部的至少一部分配置在所述排出口之中。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述至少一個供給噴嘴包括彼此相向配置的兩個供給噴嘴。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述供給部包括向所述內(nèi)部空間噴出所述非活性氣體的供給噴嘴，且所述氣流形成部包括與所述供給噴嘴相向地配置并從所述內(nèi)部空間排出所述非活性氣體的排出口。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述氣體采樣部的軸向朝向連結(jié)所述供給噴嘴和所述排出口的假想直線。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還具備整流板，該整流板被配置成與由所述基板保持部保持的所述基板相向。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述整流板包括加熱元件。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，

該基板處理裝置還具備使所述整流板升降的升降機構(gòu)。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述升降機構(gòu)在向所述基板保持部搬送所述基板以及從所述基板保持部搬送所述基板時，將所述整流板配置在第一高度，在對所述基板的所述膜進行熱處理時，將所述整流板配置在比所述第一高度低的第二高度。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述熱處理包括對所述膜進行燒結(jié)的處理。