[發(fā)明專利]用于硬掩模的金屬介電膜的沉積

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202211640544.5
• 申請日: 2016-03-23
• 公開（公告）號: CN116013767A
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 法亞茲·謝赫;西麗斯·雷迪
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/509
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種用于在襯底上沉積碳化鎢膜的方法，其包括：

將襯底布置在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理室中；

供給載氣至所述PECVD處理室；

供給介電前體氣體至所述PECVD處理室；

供給金屬前體氣體至所述PECVD處理室；

在所述PECVD處理室中產(chǎn)生等離子體；以及

在400-500℃的處理溫度下，使用PECVD在所述襯底上沉積介電膜，其中所述介電膜為碳基或氮基并包括金屬，所述金屬為鈦、鉭和釩之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬前體氣體包括鈦、鉭和釩前體氣體之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述載氣選自由氫分子(H₂)、氬(Ar)、氮分子(N₂)、氦(He)和/或它們的組合組成的組。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電前體氣體包括烴前體氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述烴前體氣體包括C_xH_y，其中x是從2至10中的整數(shù)，而y是從2至24中的整數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電前體氣體包括基于氮化物的前體氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述烴前體氣體選自由甲烷、乙炔、乙烯、丙烯、丁烷、環(huán)己烷、苯和甲苯組成的組。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述介電膜是納米結(jié)晶態(tài)的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述PECVD處理室包括被布置為與基座呈隔開的關(guān)系的第一電極；

所述基座包括第二電極；以及

將來自等離子體產(chǎn)生器的RF功率供給到所述第二電極，并且所述第一電極接地。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一電極包括噴頭。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬前體氣體比所述介電前體氣體的比值大于20％。

12.一種用于沉積碳化鎢膜的方法，其包括：

將襯底布置在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)處理室中；

供給載氣至所述PECVD處理室；

供給介電前體氣體至所述PECVD處理室；

供給金屬前體氣體至所述PECVD處理室，其中所述金屬前體氣體比所述介電前體氣體的比值大于20％；

在所述PECVD處理室中產(chǎn)生等離子體；以及

使用PECVD在所述襯底上沉積介電膜，

所述介電膜為碳基或氮基并包括金屬，所述金屬為鈦、鉭和釩之一，

其中所述PECVD處理室包括被布置為與基座呈隔開的關(guān)系的第一電極；

其中所述基座包括第二電極；以及

將來自等離子體產(chǎn)生器的RF功率供給到所述第二電極，并且所述第一電極接地。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述金屬前體氣體包括鈦、鉭和釩前體氣體之一。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述載氣選自由氫分子(H₂)、氬(Ar)、氮分子(N₂)、氦(He)和/或它們的組合組成的組。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述介電前體氣體包括烴前體氣體。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述烴前體氣體包括C_xH_y，其中x是從2至10中的整數(shù)，而y是從2至24中的整數(shù)。