[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202211638965.4
• 申請日: 2022-12-20
• 公開（公告）號: CN115732567A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王歡
• 申請（專利權(quán)）人: 矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體摻雜區(qū)；圖案化的層間介質(zhì)層，設(shè)置在所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)上；

電極結(jié)構(gòu)，通過所述層間介質(zhì)層的開孔連接至所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)，

其中，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)上還包括圖案化的金屬硅化物層，所述電極結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱，所述第一導(dǎo)電柱連接至所述金屬硅化物層，所述第二導(dǎo)電柱連接至所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)上表面，

所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)內(nèi)不包括與所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱接觸的重?fù)诫s區(qū)，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)的摻雜濃度不大于10¹⁸cm^-3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱的結(jié)構(gòu)一致，且均包括依次層疊設(shè)置的金屬墊層和導(dǎo)電柱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述金屬墊層依次層疊設(shè)置的鈦層和氮化鈦層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述金屬墊層的鈦層的厚度為200埃至400埃。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述金屬墊層的氮化鈦層的厚度為50埃至100埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱為鎢導(dǎo)電柱。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱引出后并聯(lián)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)的摻雜濃度不大于10¹⁵cm^-3。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，還包括：

襯底；

第一體區(qū)，設(shè)置在所述襯底上表面；

漂移區(qū)，設(shè)置在所述襯底上表面；

第一源摻雜區(qū)，設(shè)置在所述第一體區(qū)上表面；

第一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，由所述第一源摻雜區(qū)延伸至所述漂移區(qū)；

其中，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)對應(yīng)所述漂移區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，還包括：

第二體區(qū)，設(shè)置在所述襯底上，且所述第二體區(qū)與所述第一體區(qū)分別位于所述漂移區(qū)的兩側(cè)；

第二源摻雜區(qū)，設(shè)置在所述第二體區(qū)上表面；

第二柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述襯底上，且由所述第二源摻雜區(qū)延伸至所述漂移區(qū)。

11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成一半導(dǎo)體摻雜區(qū)；

在所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)上形成圖案化的金屬硅化物層；

在所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)和所述圖案化的金屬硅化物層上形成層間介質(zhì)層；

刻蝕所述層間介質(zhì)層，獲得第一刻蝕孔和第二刻蝕孔，所述第一刻蝕孔連通至所述金屬硅化物層，所述第二刻蝕孔連通至所述漂移區(qū)，以及

在所述第一刻蝕孔和所述第二刻蝕孔中淀積導(dǎo)電材料，獲得包括第一導(dǎo)電柱和第二導(dǎo)電柱的漏電極，

其中，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)內(nèi)不包括與所述第一導(dǎo)電柱和所述第二導(dǎo)電柱接觸的重?fù)诫s區(qū)，所述半導(dǎo)體摻雜區(qū)的摻雜濃度不大于10¹⁸cm^-3。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在所述第一刻蝕孔和所述第二刻蝕孔中淀積導(dǎo)電材料的步驟包括：

在所述第一刻蝕孔和所述第二刻蝕孔中依次淀積金屬材料，獲得依次層疊的金屬墊層和導(dǎo)電柱。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件在制造方法，其中，

所述金屬墊層包括依次層疊的鈦層和氮化鈦層。