[發明專利]場效型電晶體裝置

在審

• 申請號: 202211635228.9
• 申請日: 2022-12-19
• 公開（公告）號: CN116344611A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 高谷信一郎;白田理一郎
• 申請（專利權）人: 高谷信一郎;白田理一郎
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778
• 代理公司: 北京匯智英財專利代理有限公司 11301
• 代理人: 何暉

1.一種場效型電晶體裝置，其特征在于，具有：半導體；導電通道，其設置于所述半導體內或其表面；第一絕緣膜，其接近所述導電通道而設置；電荷儲存用閘極電極，其至少一部分設置于所述第一絕緣膜中的與所述導電通道相反的一側；第二絕緣膜，其設置于所述電荷儲存用閘極電極中的與所述第一絕緣膜相反的一側；閘極電極，其至少一部分設置于所述第二絕緣膜中的與所述電荷儲存用閘極電極相反的一側；源極電極及汲極電極，隔著所述電荷儲存用閘極電極設置于所述半導體上且與所述導電通道電性連接；電荷注入用電極，其借助與所述電荷儲存用閘極電極的電容耦合而形成第一電容；及積層膜，其設置于所述電荷注入用電極與所述電荷儲存用閘極電極之間且包含第三絕緣膜與第一半導體層；且借助流經所述第一電容的第一電流而于上述電荷儲存用閘極電極中儲存電荷；且所述第一電流的至少一部分穿過上述積層膜而流動。

2.如權利要求1所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述半導體為氮化物半導體。

3.如權利要求1或2所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述積層膜被設置為使所述第三絕緣膜的至少一部分朝向所述電荷儲存用閘極電極，及所述第一半導體層的至少一部分朝向所述電荷注入用電極，且所述第一半導體層含有n型雜質。

4.如權利要求1或2所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述積層膜被設置為使所述第三絕緣膜的至少一部分朝向所述電荷注入用電極，及所述第一半導體層的至少一部分朝向所述電荷儲存用閘極電極，且所述第一半導體層含有p型雜質。

5.一種場效型電晶體裝置，其特征在于，具有：半導體；導電通道，其設置于所述半導體內或其表面；第一絕緣膜，其接近所述導電通道而設置；電荷儲存用閘極電極，其至少一部分設置于所述第一絕緣膜中的與所述導電通道相反的一側；第二絕緣膜，其設置于所述電荷儲存用閘極電極中的與所述第一絕緣膜相反的一側；閘極電極，其至少一部分設置于所述第二絕緣膜中的與所述電荷儲存用閘極電極相反的一側；以及源極電極及汲極電極，隔著所述電荷儲存用閘極電極設置于所述半導體上且與所述導電通道電性連接；且所述源極電極或所述汲極電極借助與所述電荷儲存用閘極電極之間的電容耦合而形成第一電容；且借助流經所述第一電容的第一電流而于所述電荷儲存用閘極電極中儲存電荷。

6.如權利要求5所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述半導體為氮化物半導體。

7.如權利要求5或6所述的場效型電晶體裝置，其具有積層膜，該積層膜設置于形成所述第一電容的所述源極電極或所述汲極電極與所述電荷儲存用閘極電極之間且包含第三絕緣膜與第一半導體層；且所述第一電流的至少一部分穿過所述積層膜而流動。

8.如權利要求7所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述積層膜被設置為使所述第三絕緣膜的至少一部分朝向所述電荷儲存用閘極電極，及所述第一半導體層的至少一部分朝向形成所述第一電容的所述源極電極或所述汲極電極，且所述第一半導體層含有n型雜質。

9.如權利要求7所述的場效型電晶體裝置，其特征在于，所述積層膜被設置為使所述第三絕緣膜的至少一部分朝向形成所述第一電容的所述源極電極或汲極電極，及所述第一半導體層的至少一部分朝向所述電荷儲存用閘極電極，且所述第一半導體層含有p型雜質。

10.一種場效型電晶體裝置，其特征在于，具有：半導體；導電通道，其設置于所述半導體內或其表面；第一絕緣膜，其接近所述導電通道而設置；電荷儲存用閘極電極，其至少一部分設置于所述第一絕緣膜中的與所述導電通道相反的一側；第二絕緣膜，其設置于所述電荷儲存用閘極電極中的與所述第一絕緣膜相反的一側；閘極電極，其至少一部分設置于所述第二絕緣膜中的與所述電荷儲存用閘極電極相反的一側；以及源極電極及汲極電極，隔著所述電荷儲存用閘極電極設置于所述半導體上且與所述導電通道電性連接；且所述電荷儲存用閘極電極包含分離的多個電極。