[發(fā)明專利]一種半導體傾角可控的貼片加工裝置、貼片加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211634022.4
• 申請日: 2022-12-19
• 公開（公告）號: CN115799144A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發(fā)明（設計）人: 柯聰明;龐義澳;陸靜;劉首麟;徐勝通;羅求發(fā)
• 申請（專利權）人: 華僑大學
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/67;H01L21/56
• 代理公司: 廈門智慧呈睿知識產權代理事務所(普通合伙) 35222
• 代理人: 羅萍

本發(fā)明提供了一種半導體傾角可控的貼片加工裝置，包括底板，還包括：貼片機構、液壓機構、測量機構、固定及調節(jié)機構，其中，所述底板上固定設置有貼片機構，所述貼片結構包括固定在底板上方的下板和上板，所述下板和上板之間設置有雙曲柄機構，且所述上板上設置有適于放置貼片加工臺；所述固定及調節(jié)機構設置于所述下板上，且連接至所述雙曲柄機構所述液壓機構設置于所述加工臺上方。本發(fā)明還提供了一種貼片加工方法。通過本發(fā)明方案，使得該貼片加工裝置的結構簡單穩(wěn)定，可操作性、可維護性高。

技術領域

本發(fā)明涉及貼片加工裝置技術領域，具體而言，涉及一種半導體傾角可控的貼片加工裝置、貼片加工方法。

背景技術

當前二維電子學材料和器件進入蓬勃發(fā)展的階段，將新型的二維材料與傳統(tǒng)的三維半導體有機結合，構筑混合多維度新型結構可達成更為復雜的器件功能，為現(xiàn)代電子器件的設計提供了新路徑。以二硫化鉬/氮化鎵(MoS2/GaN)半導體異質結為例，MoS2/GaN半導體異質結在光伏、光電子及自旋電子等領域具有廣泛的應用前景。在三維半導體襯底上高質量、大面積、取向可控的二維半導體是高性能器件的關鍵。根據(jù)生長熱力學角度，在生長過程中傾向于在臺階上優(yōu)先成核。單晶襯底表面的原子級臺階有利于促進二維半導體材料高取向、高質量的連續(xù)薄膜生長。根據(jù)晶體對稱性可知，半導體襯底表面的原子臺階是其C軸(0001)傾角所致。

而在傳統(tǒng)半導體加工過程中，襯底的C軸傾角主要是在晶棒切割過程中進行，工藝繁瑣，操作復雜，對人員技術要求高；其次，在現(xiàn)有半導體傾角調整裝置方面，為了追求傾角調整的準確性，現(xiàn)有機構大多采用如齒輪等的高精度零部件作為核心調整部件，例如專利號為CN109676415A的一種半導體加工用定位夾具，但其可維護性、可操作性較差，無法做到機構效能的平衡統(tǒng)一。

發(fā)明內容

本發(fā)明公開了一種半導體傾角可控的貼片加工裝置，結構簡單，操作便利，旨在改善現(xiàn)有的貼片加工裝置可操作性差的問題。

本發(fā)明采用了如下方案：

本申請?zhí)峁┝艘环N半導體傾角可控的貼片加工裝置，包括底板，還包括：貼片機構、液壓機構、測量機構、固定及調節(jié)機構，其中，

所述底板上固定設置有貼片機構，所述貼片結構包括固定在底板上方的下板和上板，所述下板和上板之間設置有雙曲柄機構，且所述上板上設置有適于放置貼片加工臺；

所述固定及調節(jié)機構設置于所述下板上，且連接至所述雙曲柄機構，其配置為能調節(jié)所述雙曲柄機構擺動以控制所述上板的傾斜角度；

所述測量機構配置為能測量所述上板兩側的高度差，以配合所述固定及調節(jié)機構調節(jié)所述上板的傾斜角；

所述液壓機構設置于所述加工臺上方，其配置為能在所述加工臺上方上下運動。

進一步地，所述雙曲柄機構包括鉸接在所述上板和下板上且呈方陣排列的第一桿件、第二桿件、第三桿件以及第四桿件，其中，所述第一桿件與第二桿件構成第一雙曲柄機構，所述第三桿件與第四桿件構成第二雙曲柄機構，且所述第一桿件與所述第三桿件中間固定連接有第五桿件。

進一步地，所述雙曲柄機構的轉動幅度小于等于14°。

進一步地，所述加工臺設置有放置槽，所述放置槽的上端面為斜面。

進一步地，所述固定及調節(jié)機構包括有固定在所述下板上的滑軌，所述滑軌上設置有可滑動的滑塊，且所述滑塊上鉸接有第六桿件，所述第六桿件連接所述滑塊與所述第五桿件。

進一步地，所述測量機構包括兩個螺旋測微計，所述螺旋測微計通過固定件固定在所述上板上方，且其下測點緊抵于所述下板，其配置為能測量所述上板相對的兩個短邊的高度差。

進一步地，所述液壓機構包括倒L型支架以及液壓裝置，液壓裝置通過所述倒L型支架垂懸于所述加工臺上方。