[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202211633555.0
• 申請日: 2022-12-19
• 公開（公告）號: CN115799272A
• 公開（公告）日: 2023-03-14
• 發明（設計）人: 楊維;劉威;寧策;王東方
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 王存霞

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

源漏極層，位于所述襯底基板的一側；

緩沖層，位于所述源漏極層遠離所述襯底基板的一側，包括過孔，所述過孔至少暴露出部分所述源漏極層；

有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側，且通過所述過孔與所述源漏極層相連接；

其中：在所述過孔位置處，所述有源層覆蓋部分所述源漏極層，所述有源層在靠近暴露出的所述源漏極層的位置處設有倒角結構。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述倒角結構包括第一面和第二面，所述第一面與所述源漏極層接觸，所述第二面與所述第一面形成銳角。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述緩沖層包括過孔，所述過孔貫穿至所述源漏極層，并暴露出部分所述源漏極層；

或者，所述緩沖層包括過孔，所述過孔貫穿至所述源漏極層和所述襯底基板，并暴露出部分所述源漏極層和部分所述襯底基板；

或是，所述緩沖層包括過孔，所述過孔貫穿至所述源漏極層和所述陣列基板包括的功能膜層，并暴露出部分所述源漏極層和部分所述功能膜層。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

遮光層，設置在所述襯底基板的一側；

柵極絕緣層，設置在所述有源層遠離所述襯底基板的一側；

柵極，設置在所述柵極絕緣層遠離所述襯底基板的一側；

其中：所述遮光層在所述襯底基板上的正投影位于所述有源層在所述襯底基板上的正投影內，且所述遮光層與所述源漏極層同層絕緣設置；所述柵極絕緣層覆蓋所述緩沖層，并填充在所述過孔內，所述柵極在所述襯底基板上的正投影位于所述遮光層在所述襯底基板上的正投影內；或者，所述柵極在所述襯底基板上的正投影與所述柵極絕緣層在所述襯底基板上的正投影重疊，且均位于所述遮光層在所述襯底基板上的正投影內。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第一鈍化層，位于所述柵極遠離所述襯底基板的一側；

其中：若所述柵極絕緣層覆蓋所述緩沖層，并填充在所述過孔內，所述第一鈍化層覆蓋所述柵極和所述柵極絕緣層；

若所述柵極在所述襯底基板上的正投影與所述柵極絕緣層在所述襯底基板上的正投影重疊，所述第一鈍化層覆蓋所述柵極和所述緩沖層，并填充在所述過孔內。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

平坦層，設置在所述第一鈍化層遠離所述襯底基板的一側；

第一電極，設置在所述平坦層遠離所述襯底基板的一側；

第二鈍化層，設置在所述第一電極遠離所述襯底基板的一側，所述第二鈍化層覆蓋所述第一電極和所述平坦層；

第二電極，設置在所述第二鈍化層遠離所述襯底基板的一側，且通過貫穿所述第二鈍化層、所述平坦層和所述第一鈍化層的過孔與所述有源層連接。

7.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，當所述過孔貫穿至所述源漏極層，并暴露出部分所述源漏極層時，所述源漏極層在所述襯底基板上的正投影的面積為第一面積；

當所述過孔貫穿至所述源漏極層和所述襯底基板，并暴露出部分所述源漏極層和部分所述襯底基板時，所述源漏極層在所述襯底基板上的正投影的面積為第二面積；

所述第一面積大于所述第二面積。

8.根據權利要求1-7任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述銳角的范圍為大于或等于30度，且小于或等于70度。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括：如權利要求1至8中任一項所述的陣列基板。

10.一種如權利要求1至8中任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

通過構圖工藝在所述襯底基板的一側形成源漏極層；

通過構圖工藝在所述源漏極層遠離所述襯底基板的一側形成緩沖層，所述緩沖層包括過孔，所述過孔至少暴露出部分所述源漏極層；

通過構圖工藝在所述緩沖層遠離所述襯底基板的一側形成有源層，在所述過孔位置處，所述有源層覆蓋部分所述源漏極層，所述有源層在靠近暴露出的所述源漏極層的位置處設有倒角結構。